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五、负载特性 讨论 六、各级电压对工作状态的影响(一)Vcc对工作状态的影响 (一)Vcc对工作状态的影响 Vcc对电流和功率的影响 (二)Ubm(变)对工作状态的影响 (二)Ubm变化对工作状态的影响 Ubm对电流和功率的影响 (三)Vbb对工作状态的影响 (三)Vbb对工作状态的影响 第四节 谐振功率放大电路 一、直流馈电电路 (b)并联直流馈电 (二)基极直流馈电电路 基极自给反向偏置电路 二、匹配网络 (一)输入匹配网络 (二)级间耦合匹配网络 输出匹配网络模型 (三)输出匹配网络 第五节 丙类倍频器 第六节 宽频带高频功率放大器 高频电路 * 负载特性是指在晶体管及Vcc 、 Vbb、 Ubm 一定时,改变回路谐振电阻Rp,高频功率放大器的工作状态、电流、电压、功率和效率随Rp变化的关系。 晶体管、Vcc 、 Vbb、 Ubm 一定,则Vcc、IQ= - gc (Ubz - Vbb)不变,因此Q点固定不变。 由于cosθc= (Ubz-Vbb)/Ubm不变,通角θc为常数,则gd的绝对值与Rp成反比。 另外,ubemax= Vbb+Ubm不变,则动态特性的A点在ubemax线上随Rp的增大而变化, A1→A2 → A3。 随着Rp的增大,高频功率放大器的工作状态由欠压状态变到临界状态,然后进入过压状态。 分析1:Ic0、Ic1m、Ucm随Rp变化的情况 欠压和临界状态:集电极电流为尖顶脉冲,且IcM、θc不变,则随着Rp的增大, Ic0 、Ic1m 不变, Ucm= Ic1m Rp随Rp增大而线性增大。 过压状态:由于集电极电流不是尖顶脉冲,其分解系数不同于尖顶脉冲的分解系数,但总的趋势是Rp增大,IcM减小↓,θc不变, Ic0 、 Ic1m 随Rp的增大而减少↓, Ucm= Ic1m Rp增大较为缓慢。 分析2:P=、PO、ηc随Rp变化 欠压和临界状态:由于 Ic0 、 Ic1m不变,随着Rp增大, P=保持不变, PO线性增大, ηc线性增大。 进入过压:随Rp增大↑,由于 Ic0、 Ic1m而减少↓,则随Rp增大,P=减小↓,PO减小↓ 。而集电极效率在弱过压区,由于PO下降较P=下降缓慢,ηc略增。进入强过压区, Ic1m下降较大,ηc就会下降 。 1、在欠压状态的大部分范围内,Po 、 ηc都较低,且当谐振电阻Rp变化时,输出信号电压振幅将产生较大变化(输出不稳定),因此,除了特殊场合外,很少采用这种工作状态。 注:Rp = 0(负载短路), Pc达最大值。2、在临界状态, Po最大, ηc也高,常用于发射机的功率输出级,以便获得最大输出功率。3、在过压状态,当Rp变化时,输出信号电压振幅Ucm变化较小,多用于需要维持输出电压比较平稳的场合,如发射机的中间放大级。 在弱过压区,集电极效率最高,输出功率Po下降不多。 结论 当gc、Ubz、Vbb、Ubm、Rp不变时,在欠压区: Vcc Vcc 1、当Vcc由Vcc’’ 变大到Vcc’ 时, IQ 、 ubemax不变, ic依然是尖脉冲, Ic1m不变,gd 不变,动态特性向右平移,由临界进入欠压。 2、当Vcc由Vcc’’ 变小到Vcc’’’ 时, IQ 、 ubemax不变, ic变为凹顶脉冲,进入过压区, Ic1m下降, |gd|略为增加,原动态特性向左移,由临界进入过压。 Vcc Vcc 可用于集电极调幅 1、当Ubm由U’bm增大到U’’bm时,Q不变,ubemax增大(A上移), cosθc减少,θc增大,α1增大,|gd |减小(AB绕Q左旋),由欠压进入临界。 2、当Ubm 由U’’bm增大到U’’’bm时, Q 不变,ubemax增大(A上移),Ucm基本不变,|gd | 变大(AB绕Q右旋),由临界进入过压。 当gc、Ubz、Vbb、 Vcc、Rp不变 Ubm Ubm 1、当Ubm由U’bm↑增大到U’’bm时, Q不变, ubemax增大(A上移), cosθc减少,(1-cosθc) ↑ ,θc增大,α1增大↑ ,|gd |减小(AB绕Q左旋),由欠压(A1)进入临界(A2)。 2、当Ubm 由U’’bm增大到U’’’bm时, Q 不变, ubemax增大(A上移),Ucm基本不变, |gd | 变大(AB绕Q右旋),由临界(A2)进入过压(A3) 。 当gc、Ubz、Vbb、 Vcc 、Rp不变 Ubm Ubm g1 1、当Vbb由V’bb增大到V’’bb时, Vcc不变, IQ增大(绝对值减少,Q上移),ubemax增大(A上移), Ucm增大↑, |gd |减小↓(AB左旋),由欠压(A1)进入临界(A2) 。 2、当Vbb 由V’’bb增大到
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