吉林大学半导体器件物理第三章-第一部分概要.ppt

第三章双极结型晶体管 第三章双极结型晶体管 发展历史 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、 Brattain)1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美得洲仪器公司（TI） 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学 高鼎三）1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 芯片是通过以下步骤制造出来的 衬底制备 衬底为低阻N型硅，电阻率在 左右，沿（111）面切成厚约 的圆片，研磨抛光到表面光亮如镜。 外延 外延层为N型，按电参数要求确定其电阻率及厚度。 一次氧化 高温生长的氧化层用来阻挡硼、磷等杂质向硅中扩散，同时也起