EHF功放调研讲稿.doc

文献摘要 卡尔顿大学的Scott McLeland和Malcolm G. Stubbs and Gilbert A. Morin共同发表的一篇论文《44.5 GHz PHEMT POWER AMPLIFIER》，文中采用假晶300 um Northrop Grumman PHEMT运用在相控阵天线中，该功率放大器采用了两级功放在43.5-45.5GHz间提供12dB的增益，20dBm的功率输出。 TriQuint Semiconductor 公司的Q. H. Wang, M.Y. Kao, S. Nayak, K. S. Kong, C. F. Campbell 设计了一款Q波段功率放大器在Triquint公司的Three Metal Inferconnect（3MI）技术和0.15umdual-recess GaAs pHEMT的基础上设计了一个三级功率放大器，实现了高输出和低回波损耗，在41-46GH z时输出34dBm，15dB的增益和-15dB的回波损耗，芯片大小为3.4*4.2mm 3.TRW K.W. Kobayashi, M. Nishimoto, L.T. Tran, H. Wang, J. Cowls,T.R. Block, J. Elliott, B. Allen, A.K. Oki, and D.C. Streit 设计了44 GHz新颖的电流再利用偏置的InP基异质结双极晶体管（HBT）双平衡放大器，15.4 dB of gain, 28.3 dBm of IP3, and a Psat of 16.2 dBm at 44 GHz.芯片大小为6.2*3.5mm 4.美国JJW Consulting, Inc.的Edward C. Niehenke and James Whelehan,Dong Xu, David Meharry, K.H. George Duh and Phillip M.Smith。采用了MMIC设计了两级功放芯片， 20 dBm 的输出功率, 25 dB 的增益, 40% PAE, 在43.5 to 45.5 GHz 输入回波损耗 10 dB 输出回波损耗6 dB，这款MMIC建立在BAE Systems 0.1 flm MHEMT基础上，芯片大小为3.5*1.7mm 5. Raytheon公司的Francois Y. Colomb and Aryeh Platzker采用PHEMT设计了一个三级功率放大器，该功放提供4W 的输出功率。在42.5-43GHz 温度30℃ 效率为 20%。平均输出功率为3W，43.5-45.5GHz，温度为90℃时效率为17%，芯片大小为4.2*3.7mm， 6. Michael V. Aust, Arvind K. Sharma, Fellow, IEEE, Owen Fordham, Ronald Grundbacher, Richard To,Roger S. Tsai, Member, IEEE, and Richard Lai设计了一款高效率高输出的整体式功放，采用了0.15um的假晶InGaAs/GaAs HEMT在2mil的衬底上实现。在42-46GHz上，输出2.8W，23%-26%的效率（5 V and 250 mA/mm） 7.韩国庆熙大学电子学院Sang-Hyun Hwang, Seong-Gwon Lee, and Jong-Wook Lee使用了0.13um的标准CMOS设计了Q波段功率放大器，在40GHz时小信号曾以为9.3dB 8. J. Taylor, T. Schoemehl, J. Kennedy,C. Colombo, R. True, R. Watkins and T. Hargreaves。设计了在L-3通信系统中的功放模块，使用了真空行波管，在43-46GHz产生60W的输出功率 9. Chae K. Chong, Jon A. Davis, Ronald H. Le Borgne, Michael L. Ramay, Richard J. Stolz,Rod N. Tamashiro, Member, IEEE, John P. Vaszari, and Xiaoling Zhai采用了螺旋行波管（8925HP）A. Kurdoghlian, W. Lam, C. Chou*, L. Jellian*, A. lgawa M. Matloubian*, L. Larson*, A. Brown*, M. Thompson*, C. Ngo共同设计了基于磷化铟HEMT MMIC的高效功率放大器。运用在通信系统终端，在44GHz时有26dBm的输出（基于磷化铟的最大功率输出）。33%