模电晶体二极管及应用电路.pptVIP

分析： 则 VA VB， 二极管为截止状态。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 提示：N型半导体，自由电子是多子，空穴是少子。 简答题：与本征半导体相比，N型半导体中空穴多了？还是少了？ 解答： 在杂质型半导体中，多子浓度与少子浓度两者乘积保持不变。 N型半导体自由电子是多子，空穴是少子，与本证半导体相比，少子空穴少了。 第二章结束 2.2.1 二极管的结构类型 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的等效电阻 2.2.4 二极管主要参数 2.2.5 二极管模型 2.2.6 特殊二极管 2.2.7 二极管应用 2.2 晶体二极管 2.2.1 晶体二极管的结构类型 在PN结上加上封装和引线，就成为晶体二极管，简称二极管。 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 二极管 符号 正极 负极 伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线， iD O uD 1.当加正向电压时 PN结电流方程为： 2.当加反向电压时 i 随u↑呈指数规率↑ iD ≈ - Is 电流iD基本不变 2.2.2 晶体二极管的伏安特性 + uD - iD ?晶体二极管的伏安特性 ①正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：UR = 0.5--0.6V; 锗：UR =0.1-- 0.2V。 ②加反向电压时，反向电流很小 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定。 ③当反压增大UBR时再增加,反向电流激增,发生反向击穿, UBR称为反向击穿电压。 实测伏安特性 ① ② ③ 材料 门限电压 导通电压 Is/ μA 硅 0.5～0.6V 0.7V 0.1 锗 0.1～0.2V 0.3V 几十 UBR UR ?温度对二极管特性的影响 温度升高，开启电压UR减小，反向电流IS增大。 非线性电阻 用直流电阻 (也称静态电阻）和交流电阻（又称动态电阻或微变电阻）来描述二极管的电阻特性。 1.直流（静态）电阻RD的计算方法 定义 二极管两端的直流电压与电流之比 iD iD uD uD D 2.2.3 二极管的等效电阻 UQ IQ 硅管UQ≥0.7V, 锗管UQ≥0.3V。 直流电阻的求解方法： 借助于静态工作点Q（IQ，UQ）来求。 iD ED D RL uD 方法一：解析法 列写二极管电流方程和电路方程： 解方程组，得到二极管静态工作电流IQ和电压UQ，二极管直流电阻为 方法二：图解法 iD ED D RL uD iD uD 在二极管特性曲线上绘制直流负载线，其中两个坐标点： uD=0 iD=ED/RL iD=0 uD=ED ED/RL ED Q IQ UQ 由静态工作点Q点得IQ和UQ，从而求出直流电阻 直流负载线与伏安 特性曲线的交点 由电路可列出方程： 2.交流电阻rD的计算方法 RL ED D ui iD Q uD ?uD ? iD 室温（T=300K）下,UT=26mV。 交流电阻：rD=26mV/ IQ (mA) 定义： 注意:交流电阻rD与其静态工作点Q有关。 说明：二极管正偏时， rD很小（几至几十欧姆） 二极管反偏时，rD很大（几十千至几兆欧姆）。 问题解答：电阻R的作用是限制回路电流，避免二极管电流过大而烧毁。 结论： PN结具有单向导电性 工程分析方法： 硅： UD≈0.7 V 锗： UD≈0.3 V 2.2.4 二极管的主要参数 1.最大整流电流IF：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2.最高反向工作电压UBR：管子工作时所允许的最高反向电压 3.反向电流IR ：二极管未击穿时的反向电流，近似为IS。 4.最高工作频率 fM ：二极管工作的上限频率。 1.理想二极管模型 特点：(1) 正偏时导通，压降为0V； (2) 反偏时截止，反向电流为0。 2.2.5 二极管的模型 应用:(1)电路简化定性分析;(2)大信号时电路的近似分析。 2. 折线二极管模型 特点：(1) 正偏电压＞Uon时，导通； (2) 反偏电压＜Uon时，截止。 应用：工程计算。 （Si管Uon ≈ 0.7V ，Ge管0.3V)； 说明：若忽略小电阻rD ，则为恒压降二极管模型。 3.二极管交流模型 当二极管在正偏情况下，若叠