【2017年整理】第三章 习题解答.docVIP

第三章 习题解答 3，7，10，11，25 3/113、非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？ 解答：非化学计量化合物的特点：非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体；缺陷浓度与温度有关，这点可以从平衡常数看出；非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩，产生金属离子过剩（n 型）半导体，正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩，产生负离子过剩（p 型）半导体。/113、解答：钠原子空位， 钠离子空位、带一个单位负电荷， 氯离子空位、带一个单位正电荷， 最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心， Ca2+占据K位置、带一个单位正电荷， Ca原子位于Ca原子位置上， Ca2+处于晶格间隙位置。7/113、写出下列缺陷反应式：（l）NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体；（2）CaCl2溶入NaCl中形成空位型固溶体；（3）NaCl形成肖特基缺陷；（4）AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）。 解答： （l）NaCl 溶入CaCl2中形成空位型固溶体 CaCl2 溶入NaCl 中形成空位型固溶体 （3）NaCl 形成肖特基缺陷 （4）Agl 形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙） 10/113、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol，计算该晶体1000K和15