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第五章 离子注入 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 注入离子如何在体内静止？ 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核阻止（nuclear stopping） (2) 电子阻止 （electronic stopping） 总能量损失为两者的和 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 阻止本领（stopping power）：材料中注入离子的能量损失大小 单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量 (Sn(E), Se(E) )。 核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。 电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。 核阻止本领 注入离子与靶内原子核之间两体碰撞 两粒子之间的相互作用力是电荷作用 电子阻止本领 总阻止本领（Total stopping power） 核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端） 电子阻止本领在高能量下起主要作用 注入离子的浓度分布 在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。 注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？ 离子注入的沟道效应 沟道效应（Channeling effect） 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 减少沟道效应的措施 对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o 用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization） 增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少） 表面用SiO2层掩膜 典型离子注入参数 离子：P，As，Sb，B，In，O 剂量：1011~1018 cm-2 能量：1– 400 keV 可重复性和均匀性: ±1% 温度：室温 流量：1012-1014 cm-2s-1 损伤的产生 移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。 移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量. (对于硅原子, Ed?15eV) 注入离子通过碰撞把能量传给靶原子核及其电子的过程，称为能量传递过程 损伤区的分布 重离子每次碰撞传输给靶的能量较大，散射角小，获得大能量的位移原子还可使许多原子移位。注入离子的能量损失以核碰撞为主。同时，射程较短，在小体积内有较大损伤。重离子注入所造成的损伤区域小，损伤密度大。 非晶化（Amorphization） 注入离子引起的晶格损伤有可能使晶体结构完全破坏变为无序的非晶区。 与注入剂量的关系 注入剂量越大，晶格损伤越严重。 临界剂量：使晶格完全无序的剂量。 临界剂量和注入离子的质量有关 损伤退火 （Damage Annealing） 被注入离子往往处于半导体晶格的间隙位置，对载流子的输运没有贡献；而且也造成大量损伤。 注入后的半导体材料： 杂质处于间隙 nND；pNA 晶格损伤，迁移率下降；少子寿命下降 热退火后：n? ? n=ND (p=NA) ?? ? ?bulk ? ? ? ?0 损伤退火的目的 去除由注入造成的损伤，让硅晶格恢复其原有完美晶体结构 让杂质进入电活性（electrically active） 位置－替位位置。 恢复电子和空穴迁移率 注意：退火过程中应避免大幅度的杂质再分布 损伤恢复机制（Damage Recovery Mechanism） 作业 1 离子注入的工艺特点是什么？ 浅结形成，低温工艺，化合物半导体，多种杂质掺杂。 2 离子注入的工艺原理 注入能量，注入剂量，电子阻制本领与核阻止本领的概念 离子与晶格原子的相互作用。 3 离子注入的射程分布 离子注入的杂质分布特点，投影射程和峰值浓度的概念， 沟道效应产生的原因和避免方法。 注入损伤、及损伤与注入能量、注入离子大小的关系。 4 热退火的定义、作用及方法 硅中硼、磷的退火特性 如果要求掩膜层能完全阻挡离子 xm为恰好能够完全阻挡离子的掩膜厚度 Rp*为离子在掩蔽层中的平均射程，DRp*为离子在