集成电路制造工艺.docxVIP

集成电路制造工艺一、集成电路设计与制造的主要流程设计---掩膜版---芯片制造—芯片检测—封装—测试沙子—硅锭---晶圆设计：功能要求—行为设计—行为仿真---时序仿真—布局布线—版图---后仿真。展厅描述的是制造环节过程，分为晶圆制造与芯片制造工艺。图形转换，将设计在掩膜版上的图形转移到半导体单晶片上。光刻：光刻胶、掩膜版、光刻机三要素。光刻刻蚀：参杂，根据设计需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管接触等 制作各种材料的薄膜二、晶圆制造1. 沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，主要以二氧化硅(SiO2)的形式存在。2. 硅熔炼：通过多步净化得到可用于半导体制造/**********:;质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。（本文指12英寸/300毫米晶圆级，下同。）3.单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。4. 硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。5. 晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫