集成电路工艺原理.docVIP

第一章 衬底材料 1、三种单晶制备方法的特点和用途比较 直拉法（引晶，缩颈，放肩，等径生长，收晶） 基本原理：将多晶硅在真空或惰性气体保护下加热，使多晶硅熔化，然后利用籽晶来拉制单晶硅。单晶生长过程实际上是硅由液相?固相的转化过程。该转化过程实现的条件：液相-固相界面附近存在温度梯度(dT/dz)。 区熔法（悬浮区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后竖直固定在区溶炉上、下轴之间； 水平区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后水平固定在区溶炉左、右轴之间） 基本原理：将籽晶与多晶硅棒紧粘在一起，利用分段熔融多晶棒，在溶区由籽晶移向多晶硅棒另一端的过程中，使多晶硅转变成单晶硅。 中子嬗变掺杂法：利用热中子（即低能中子）对高阻单晶进行辐照，从而使其电阻率发生改变的方法。主要用来对高阻区熔单晶电阻率的均匀性进行调整。 三种单晶制备方法的比较 方法 C、O含量 直径 电阻率大小 电阻率均匀性 用途 直拉法 较高 大 低 径向、轴向均匀性很差 制作VLSI 区熔法 较低 较小 高 径向、轴向均匀性较差 制作PowerDevice 中子嬗变法 不变 不变 可调 较好 调整电阻率 硅中有害杂质的分类