TSV技术的发展.docVIP

ＴＳＶ技术的发展、挑战和展望，3D IC技术的一体化、3D硅技术的一体化 摘要：3D集成技术包括3D IC集成，3D IC封装和3D 硅集成技术。这三者是不同的技术，并且硅通孔技术将3D IC封装技术与3D IC集成技术、3D IC硅 集成技术区分开来，因为后二者使用了该技术而3D IC封装没有。硅通孔技术（TSV）是3D IC集成技术、3D 硅集成技术的核心。也是研究的热点。3D集成技术起源于当代，当然，3D IC/硅集成技术的革新、挑战与展望已是讨论的热点，还有它的蓝图。最后，通用的、更低能耗的、加强热控制的3D IC集成封装系统相继被提出。 关键词：硅通孔技术，3D IC集成技术，3D 硅集成技术，活泼的、消极的互边导电物，C2W和W2W。 说明： 电子产业自从1996年以来已成为世界上最大的产业。截止2011年底已经创造了一万五千亿美元的价值 。其中电子工业最大的发明便是电子管（1947年），这也使得John Bardeen,Walter Brattain 和William赢得了1956年的诺贝尔物理学奖。1958年Jack Kilby发明了集成电路（也使他获得了诺贝尔奖），六个月后Robert Noyce(他因在1990年去世而未能与Jack kilby分享诺贝尔奖)首创IC集成技术。由戈登·摩尔在1965年提出的每二年便要在电路板上将晶体管的数量翻一倍的理论（也叫摩