结束放映.pptVIP

4.1 半導體的能帶結構和電子狀態 4.1.1 能帶概念的引入 以半導體材料Si和Ge為例，每個原子有4個價電子，在原子狀態中s態和p態各2個。在晶體狀態中似應產生兩個能帶，一個與s態對應，包含N個狀態，另一個和三重p態對應，含3N個態。但由軌道雜化重新組合的兩個能帶中各含2N各狀態，較低的一個正好容納4N個價電子，稱為價帶，上面一個則是空帶，稱為導帶。當能帶被電子部份填充時，外電場才能使電子的運動狀態發生改變而產生導電性。材料低溫下不導電，在溫度較高時，部份電子從價帶激發到導帶，表現出導電性。 4.1.2 半導體中的電子狀態 對單個電子求解薛丁格方程 (4.1) 而將所有其他電子對某一電子的相互作用，視為疊加在原子實週期勢場上的等效平均場，並用V(r)表示。考慮一維情形，式(4.1)變為 (4.2) 則為動能部份，其中，me為電子質量。 在k足夠小的範圍內，可將Ek展開為Maclaurin級數， 其中，meff稱為電子的有效質量，與me不同，meff既可以取正值，也可以取負值。 式(4.7a)表明，在k＝0附近，E(k)仍按拋物線規律隨k變化，拋物線的開口方向由meff的符號決定。當meff＞0時，開口向上，對應的能帶稱為導帶，式(4.7a)變為 (4.7b) 當meff＜0時，開口向下，對應的能帶稱為價帶，E－k關係為 (4.7c) 導帶底