电力系统污秽与覆冰绝缘_.pptVIP

附图：国网武汉高压研究院试验线段绝缘子串冲击放电(沿面电弧和空气电弧) (11) 泄漏距离 在导电部位之间沿着绝缘表面测出的最短距离之和，即绝缘子钢脚与钢帽间，沿伞裙表面轮廊的最短距离为“泄漏距离”。绝缘子串的泄漏距离是串中每片绝缘子泄漏距离之和。棒形绝缘子属整体结构，泄漏距离是指绝缘子的上端部金具与下端部金具球头之间的沿各个伞裙表面轮廊与芯棒表面形成的距离总和。 (12) 被保护泄漏距离 不直接承受阳光、风、雨等自然因素作用的绝缘表面的泄漏距离。对于悬式瓷和玻璃绝缘子来说，被保护泄漏距离是指绝缘子下表面沿棱槽的泄漏距离。 Protected Leakage Distance 1.5 绝缘子型号与标识 悬式绝缘子不给出额定电压值，只给出机电破坏负荷值。110kV线路一般使用70kN级绝缘子，而500kV线路一般使用160kN或210kN级绝缘子。 棒形绝缘子的长度决定了适用的电压等级。对棒形绝缘子的要求要同时给出额定电压等级和对机械性能的要求。对机械性能的要求多数以弯矩形式，有时以扭矩形式。 FXBW-10/70、35/100、35/70、110/70、110/100、220/120、220/160、220/180、330/160、 330/180、330/210、500/160、500/180、500/210、500/300、1000/210、1000/300、1000/400、1000/530。 复合绝缘子 LXP-70、120、180、160、300、400；LXWP-210、300、160、300、400，LXZP-210、160、300、300、400。 玻璃绝缘子 XP-70、160，XWP-160、210；XP3-160、210、180、300；XZP-300、210、160、400；XZWP-210、300、400；XWP4-300、160、120、400。 瓷绝缘子 型号标示 绝缘子材质 附表 常用绝缘子型号标识 附图 盘形绝缘子的通用标示 在试品二端的金属附件之间施加与试品工频交流湿耐受电压相等的电压，同时在试品的轴线方向施加拉伸负荷，该拉伸负荷缓慢增加，直至破坏。 有时绝缘子在拉伸负荷作用下虽有机械支持，但当头部瓷件开裂时，会丧失电气绝缘能力。 无论是绝缘子丧失电气绝缘能力，还是发生机械破坏，都称绝缘子破坏。 在上述试验条件下，绝缘子破坏所需要的机械负荷称为机电破坏负荷。 附录：绝缘子的机电破坏负荷定义 结构型式220kV及以上棒形支柱绝缘子是由几个支柱绝缘子元件作迭装构成的绝缘子柱，其组合用元件数量按其额定电压而定。 一般来说，220kV级由二个元件组成；330kV级由三个元件或二个元件组成；500kV级由三个元件或四个元件组成；500kV级三角架式由三柱十二个元件或九个元件组成。 附录：高电压系统支柱绝缘子的组合特征 (3) 复合绝缘子 国外自1970年代，我国自1980年代开始将复合绝缘子应用于电力系统，它具有质量小、强度高、耐污性能好、维护工作量小等诸多优点。硅橡胶复合绝缘子表面具有憎水性，且附着在伞裙表面的污染层也具有憎水性(即硅橡胶的憎水性迁移特性)，因此大大提高了复合绝缘子的抗污闪能力。从我国的使用情况来看，历次的大面积污闪事故中，复合绝缘子都表现出优异的抗污闪能力，在外绝缘水平偏低和污染较重的情况下，复合绝缘子是个较好的选择对象。 Long-rod composite suspension insulator (4) 半导体釉绝缘子 半导体釉绝缘子是普通瓷绝缘子表面涂覆一层半导体釉构成的绝缘子，主要用于污秽地区。半导体釉是在1940年代在欧洲发展起来的，其电阻率界于绝缘体和导体之间。普通釉的电阻率一般在1012 Ω·cm 左右，而半导体釉一般为106~109Ω·cm，比普通釉低几个数量级。从其它性能及外观来看，半导体釉与普通釉除色泽有差别外无多大差异。 半导体釉是在普通釉基础上添加一定重量的导电性金属氧化物或化合物而制得，其基本结构是在釉玻璃基质中均匀分布着具有导电性的结晶网络或固溶体微粒。从其发展历史来看，迄今已经历了氧化铁型、氧化钦型、氧化铁一钦型、锑锡型以及碳化硅、二硅化钼等如此多种多样的演变过程。在工程中应用的具有代表性的半导体釉主要有三种： 氧化铁型 氧化钛型 锑锡型 Semi-conducting glaze insulator (三) 按具体结构分类 可分为线路悬式(盘形、棒形)、针式、横担绝缘子等，电站支柱绝缘子，瓷套和套管等。 (1) 盘形悬式绝缘子 组成： 由铁帽(可锻铸铁)、钢脚(低碳钢)和瓷件(或钢化玻璃)组成。 金具和绝缘件之间用水泥胶合。 可方便地组成绝缘子串。组成串时，钢脚的球头插入铁帽的球窝中，成