第5章半导体存储器和可编程逻辑器件.pptVIP

本章基本要求 用1k×1位ROM组成1k×8位ROM 　　 将原属于编程器的写入–擦除控制电路及高压脉冲发生器电路也集成至PLD芯片中。因此编程时只需外加5V电压，不必将PLD从系统的电路板取下，实现了在系统可编程。 一、低密度ISP–PLD 　　低密度ISP–PLD是在 GAL 的基础上增加了写入／擦除控制电路。 二、高密度ISP–PLD 　 高密度ISP–PLD又称isp LSI。 　　 15.3.5在系统可编程逻辑器件（ISP-PLD） 　isp GAL16Z8的电路结构框图 1、正常工作方式 　　接通电源后，若设MODE = 1，SDI = 0，电路即能自动进入正常工作方式， 2、诊断工作方式 　　若设MODE = 1，SDI = 1，电路进入诊断工作方式，这时，各输出逻辑宏单元OLMC中的触发器自动接成串行移位寄存器，在DCLK时钟信号作用下，内部收据由SDO端顺序地被读出，同时又可从SDI端对移位寄存器写入新的数据，实现诊断和预置功能。 3、编程工作方式 　　若设MODE = 0，电路进入编程工作方式。这时分三步进行：首先将编程数据从SDI端输入，然后再从SDO端读出，以校验数据是否正确，确认无误后，最后写入E2CMOS存储单元。 一、低密度ISP–PLD 二、高密度 ISP–PLD 　isp LSI 的电路结构框图 * 第15章 半导体存储器和可编程逻辑器件 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 可编程逻辑器件 本章教学基本要求： 了解大规模集成电路半导体存储器ROM、 EPROM、RAM电路的工作原理。 了解存储器容量的扩展方法。 了解可编程逻辑器件的基本结构和功能。 一、 半导体存储器的作用 存放二值（0、1）数据 二、 半导体存储器的特点 集成度高、体积小、存储信息容量大、工作速度快。 可编程逻辑器件是一种功能特殊的大规模集成电 路，可由用户定义和设置逻辑功能，取代中小规模的 标准集成逻辑器件并创造大型复杂的数字系统，具有 结构灵活、集成度高、和可靠性高等特点。 只读存储器用来存储二值信息代码，其数据一旦写入，在正常工作时，只能重复读取所存内容，而不能改写。 存储器内容在断电后不会消失，具有非易失性。 只读存储器的特点： 15.1　只读存储器 例如有 10根地址线（n=10)，通过地址译码器译出字线 根，为 若 的地址选择为1100000000，则i=768，译出 =1，其余字线为0 每一根字线对应地存放一个8位二进制数码，也就是这个字母的地址所指定存放的数，这个8位二进制数称为一个字。通常把一个字中所含的位数称为字长。位数可以1位、4位、8位、16位和32位等。把8位数的字称为一个字节。4位为半个字节，16位称为两个字节。把输出位数的线称为位线。 字线Wi的下标i即对应的是地址码的十进制数。当该字线被选中， Wi出高电平1，其余字线为低电平 15.1.1 固定ROM 相应的地址码的字线 地址输入线n根，又称地址码。 字线与位线的交叉点即为存储单元。每个存储单元可以存储 1 位二进制数（0、1） 存储器中总的存储单元的数量称为存储容量。 从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长，即字长 = 位数。 一个存储体总的存储容量用字线数m×位线数表示。 4×4掩模ROM 地址线 被选中 1001 一、二极管掩模ROM 选中为1 片选信号控制与门电路,为0时译码器工作,表示该片ROM被选中，可以输出存储内容。 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 W0 = 1 W1 = 1 W2 = 1 W3 = 1 0 0 0 1 1 0 1 1 D3 D2 D1 D0 Wi A1 A0 位 输 出 字 线 地址输入 4×4掩模ROM 二、4×4掩模ROM结构及电路存储内容 4×4掩模ROM电路存储内容 三、MOS管掩模ROM 有MOS管所以为1 无MOS管为0 32×32=1024 1k×1位MOS掩模ROM 负载管等效于电阻 得到1K×8位存储器 一片1K×1位存储器芯片 共8片 三级管 位线 存储单元（快速熔丝） 若熔丝被烧断表示存储单元信息为0，不烧断为1。 15.1.2 可编程ROM(PROM) 正常读数时，字线被选中后，对于有熔丝的存储单元其读