扩散工艺,优秀讲义.pptVIP

掺杂技术就是将所需要的杂质，以一定的方式（合金、扩散或离子注入等）加入到硅片或其他半导体晶体内部，并使其在硅片或其他半导体晶体中的数量和浓度分布符合预定的要求。 利用掺杂技术，可以制作P-N结、欧姆接触区、IC中的电阻、硅栅和硅互连线等等。 合金法是早期产生半导体器件常用的形成p-N结的方法。自从硅平面技术问世以后，合金法已经被扩散法取代了。扩散技术是一种制作P-N结的好方法。随着集成电路的飞速发展，扩散工艺已日臻完善，其设备和操作也大多采用电子计算机进行控制了。 扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。 集成电路制造中的固态扩散工艺，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。 扩散是向半导体中掺杂的重要方法之一，也是集成电路制造中的重要工艺。 目前扩散工艺已广泛用来形成晶体管的基极、发射极、集电极，双极器件中的电阻，在MOS制造中形成源和漏、互连引线，对多晶硅的掺杂等。 离子注入是目前VLSI优越的掺杂工艺。就目前我国生产集成电路来看，离子注入不能说完全代替了扩散工艺，但至少许多原来由扩散工艺所完成的加工工序，都已经被离子注入取代了，这是时代发展的必然结果。 §3.1 杂质扩散机构 杂质在硅晶体中的扩散机构主要有两种： (1)间隙式扩散，(2)替位式扩散 一、间隙式扩散 1、间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。 主要指那些半径较小、并且不容易和硅原子键合的原子，它们在晶体中的扩散运动主要是以间隙方式进行的。如下图所示。图中黑点代表间隙杂质，圆圈代表晶格位置上的硅原子。 2、间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动。 3、间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6~1.2ev。 4、间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置上。 5、跳跃率：Pi=v0e-wi/kT 其中v0为振动频率大约1013-1014/S，温度升高时Pi指数地增加。 6、主要Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 7、扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 二、替位式扩散 1、替位杂质：占据晶格位置的外来原子。 2、替位式扩散：替位杂质从一个晶格位置到另一个晶格位置上。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较容易地运动到近邻空位上。运动如下图所示。 3、替位杂质运动比间隙杂质更困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。 4、跳跃率Pv=v0e-(Ws+Wv)/kT Wv表示形成一个空位所需能量。 Ⅲ、Ⅴ族元素； 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行； 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层。 §3.2 扩散原理（即扩散系数和扩散方程） 扩散时质量守衡，J随时间变化与随空间变化相同－－连续性方程 以下式表示杂质原子流密度 以上2－1，2－3为Fick’s扩散第一、第二定律。 考虑施加恒定电场E时： 1.扩散系数与温度有关：如上图 D0：扩散率，?E：扩散工艺激活能， k0：玻耳兹曼常数，T：绝对温度。 2. 扩散工艺激活能?E? 间隙扩散物质：如He, H2, O2, Au, Na, Ni, Cu, Fe。?E在0.2～2.0eV之间? 替位扩散物质：如B, As, P, Sb? E 在 3～4 eV之间 3.扩散系数与衬底掺杂浓度有关 * * Chap 3 扩散工艺Difussion §3.1杂质扩散机构 §3.2扩散原理（扩散系数扩散方程） §3.3扩散杂质的分布 §3.4影响杂质分布的其他因素 §3.5扩散工艺 §3.6扩散工艺的发展（自学） §3.7工艺控制和质量监测（补充） 1 2 3 4 5 6 7 间隙杂质运动 替位杂质运动 一. 扩散流方程（注：下面的N就是课本中的C） 扩散方程为： 2-1 2-2 2-3 2－4 二. 扩散系数 * *