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图 D.5 合格表面 注：蓝宝石单晶抛光衬底片使用原子力显微镜测试 的原子力（AFM）显微形貌。 附录 E (资料性附录)蓝宝石结晶学图 蓝宝石结晶学图见图E.1。 * 兰宝石衬底检测标准 1、国际SEMI M3-1296兰宝石单晶抛光衬底规范 2、国际SEMI M3.2-912INCH兰宝石衬底标准 3、国际SEMI M3.4-913INCH兰宝石衬底标准 4、国际SEMI M3.5-92100MM兰宝石衬底标准 5、国际SEMI M3.6-883INCH回收兰宝石衬底标准 国际SEMI标准中的5标准 国家标准 GB/T13843兰宝石单晶抛光衬底片 以上要求是对兰宝石晶片总的质量要求。 即:晶体纯洁、尺寸规范、表面平整光滑、 无损伤层、晶格完整、晶片洁净 具体要求如下： 1、蓝宝石晶片的材料内在质量要求： a-AL203的纯度：＞99.999% 表面取向精度:＜±0.5° 位错密度:＜1×105个/CM2 a a 45° 45° C轴(投影) 参考面 用于GaN生长的蓝宝石晶片 2、蓝宝石晶片几何尺寸的要求： 参考面定位误差：＜±1° 直径误差： ＜±0.05mm 厚度误差： ＜±0.03mm 弯曲度： ＜20um 平整度: ＜1０um 抛光面粗糙度Ra: ＜0.5nm 3、蓝宝石晶片表面质量要求： 崩边：弧长＜1mm 麻点：不允许存在 桔皮：不允许存在 应变层：不允许存在 4、加工蓝宝石晶片结净要求： 金属离子： ＜ 1×109个/CM2 有机物碳含量： ＜ 5×109个/CM2 微粒（尺寸＞0.1 um) ＜ 20个/片 晶面： 蓝宝石晶体的主要晶向有: C面(0001)、r面（0112）、a面（1120） 为了使外延生长的GaN（氮化镓）与蓝宝石具有最小的晶格失配系数，所以用于生长GaN的蓝宝石晶面取向通常是C面(0001)、r面（0112）、a面（1120）等特定的方向。 检测蓝宝石的晶向通常用： X射线衍射法和光点定向法 用：X射线衍射仪（精度为±15′） 位错密度： 通过观察晶片表面的腐蚀图案，来确位错的密度。 常用的腐蚀液是熔融的KOH（氢氧化钾），在一定的温度下（300℃+10min）， 蓝宝石与KOH发生化学反应：AL203+2KOH→2KALO2+H2O 几何尺寸检测： 厚度差（TTV）、定位边、平面度、翘曲度。 激光干涉仪： 表面粗糙度（原子力显微镜）AFM 晶片加工后表层检测： 1、崩边：7倍放大镜 2、麻点（坑形成）：40倍放大镜 3、桔皮（机械划伤）： 40倍放大镜 4、应变层：双晶摇摆曲线 晶片洁净度检测： 主要对金属离子和有机物碳含量。 1、石黑炉原子吸收光谱仪； 2、感应耦合等离子质谱仪； 3、全反射X射线荧光光谱仪（常用）--表面污染分析。 晶片表面的固体微粒是一种表面杂质污染。 用原子力显微镜进行检测。 本片供给下道工序：金属有机化学气相沉积（MOCVD） 中 华 人 民 共和国电子行业标准 中华人民共和国工业和信息化部发布 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片 SJ 1 范围 本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片 的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装运输和 贮存等内容。 本标准适用于制备半导体发光二极管的外延氮化镓的高 纯蓝宝石单晶抛光衬底片（以下简称“衬底片”）。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。 凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内 容）或修改版均不适用于本标准。然而，鼓励根据本标准达 成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不 注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1031-1995 表面粗糙度参数及其数值 GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL） 检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅单晶抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则 3 术语、定义和符号 GB/T 14264-1993 确立的术语和定义适用于本标准。 4 要求 4.1 化学组成为高纯的α-Al2O3，总杂质含量应小于1×10-4。 4.2 结晶完整性要求在所有直径范围内都是单晶， 位错应小于105 个/cm2， 双晶摇摆曲线的半峰