第4章存储器和高速缓存技术专用课件.pptVIP

第4章 存储器、存储管理和高速缓存技术 本章重点 : 存储器在微型机系统中的连接、片选信号的形成、宽度扩充和字节扩充 微型机中存储器的层次化结构 16位、32位微型机系统中的内存组织 Cache的全相联、直接映像和组相联三种组织方式 Cache控制器的功能 第4章 存储器、存储管理和高速缓存技术 4.1 存储器和存储器件 4.2 存储器的连接 4.3 微型计算机系统中存储器的体系结构 4.4 Pentium的虚拟存储机制和片内的两级存储管理** 4.5 高档微机系统中的高速缓存技术 4.1 存储器和存储器件 4.1.1 存储器的分类 存储器根据用途和特点可以分为两大类： 1.内部存储器，简称为内存或主存（ROM、RAM） 快速存取 容量受限制 2.外部存储器，简称为外存（软盘、硬盘、光盘） 容量大 速度慢，配置专用驱动器 4.1.2 微型计算机内存的行列结构 字节机制 存储器容量的单位：KB、MB、GB、TB 为什么采用行列结构（矩阵形式）？ 如：有64B的内存 4.1.2 微型计算机内存的行列结构 图4.1 32行×32列组成的矩阵和外部的连接 4.1.3 选择存储器件的考虑因素 ① 易失性 ：电源断开后，内容是否丢失 ② 只读性 ：只能被读出 ③ 存储容量 ：存储单元的总数 表示方法为： 存储容量 = 存储单元数×每单元二进制位数 ④ 速度 ：存储器的访问时间(存储器接收到稳定的地址信号到完成操作的时间） TTL（速度快、功耗大、价格贵）；MOS：CMOS，HMOS ⑤ 功耗 4.1.4 随机存取存储器RAM 主要特点: 既可读又可写 分类： RAM按其结构和工作原理分为： 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 1. SRAM——基于双稳态触发器的工作原理 优点：速度快 不需要刷新 缺点：片容量低 功耗大 2. DRAM ——利用电容存储电荷的原理 (1) DRAM器件 优点：片容量高、功耗低 缺点：需要刷新（一次刷新就是对存储器进行一次读取、放大和再写入） SRAM基本存储电路 DRAM基本存储电路 (2) DRAM的刷新和DRAM控制器 刷新的方法：只有行地址有效 DRAM控制器功能： ① 时序功能：RAS# （刷新地址、刷新请求信号） ② 地址处理功能：刷新地址、行/列地址 ③ 仲裁功能：读/写请求、刷新请求 图4.2 DRAM控制器的原理图 4.1.5 只读存储器ROM ROM的特点： 只许读出、不许写入 ROM器件的优点： 结构简单，所以位密度高 具有非易失性，所以可靠性高 应用场合： 存放不需要经常修改的信息 ROM的分类: 根据信息的设置方法，ROM分为5种 ： 掩膜型ROM 可编程只读存储器PROM 可擦除可编程只读存储器EPROM 可用电擦除的可编程只读存储器E2PROM 闪烁存储器（flash memory） 1. 掩膜ROM 2. 可编程只读存储器PROM 一次编程 熔丝保持原状：1 熔丝被烧断：0 3. EPROM 图4.3 Intel 2764EPROM的外形和引脚信号 3. EPROM 可多次擦除、重写 三种工作方式： 读方式：VCC=+5V，VPP=+5V，CE#低 编程方式：VCC=+5V，VPP=21~25V，CE#高，PGM#5V编程脉冲 校验方式：VCC=+5V，VPP=21~25V，CE#低，PGM#低 4. E2PROM 用电可擦除 4种工作方式： 读方式 写方式 字节擦除方式 整体擦除方式 5. 闪烁存储器属于E2PROM类型，性能又优于普通的E2PROM 闪烁存储器的特点： 非易失性 可靠性高 高速度 大容量 擦写灵活性 （分块、字节、整体擦除重写） 闪烁存储器的分类： 按擦除和使用的方式，闪烁存储器有三种类型： 整体型：擦除和重写操作按整体实现。 块结构型：把存储器划分成块，每块可独立进行擦除和重写。 带自举块型：增加自举块。 另加擦除和重写电路。 闪烁存储器的命令： 读命令 读标识码命令 准备擦除和擦除命令 验证擦除的命令 准备编程、编程以及编程验证命令 复位命令 4.2 存储器的连接 1. 存储器和CPU的连接考虑 ① 高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。 CPU插入等待状态Tw ② CPU总线的负载能力问题。 加入总线驱动器 ③ 片选信号和行地址、列地址的产生机制。 片选译码、片内译码 ④ 对芯片内部的寻址方法。 通过低位地址线和芯片连接，提供行、列地址 2. 存储器芯片片选信号的产生方法 线选译