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集成电路平面工艺基础Basic Principle of IC Planar Processing彭 商 强 博 士四川大学材料科学与工程学院 References：(Materials) References：(Processing) 集成电路概况 集成电路（IC）：Integrated Circuit 20世纪60年代兴起：硅基底材料的出现 20世纪80年代成熟：基底材料及刻蚀工艺 新世纪之后的飞跃：刻蚀工艺的完善和提高 全课教学内容 第一篇（Overview Materials） 第一章 IC平面工艺及发展概述 第二章 半导体材料的基本性质 第三章 Si单晶的生长与加工 第四章 几种化合物半导体材料的生长与加工  第二篇（Unit Process） 第一单元 （第一章） IC制造中的超净和硅片清洁技术 第二单元 热处理和局域掺杂技术 第二章 扩散掺杂技术 第三章 热氧化技术 第四章 离子注入技术 第五章 快速热处理技术  第三单元 图形加工技术 第六章 图形转移技术（光刻技术） 第七章 图形刻蚀技术 第四单元 薄膜技术 第八章 薄膜物理淀积技术 第九章 薄膜化学汽相淀积（CVD）技术 第十章 晶体外延生长技术 第五单元（第十一章） 基本集成技术简介 第一章 IC平面工艺及发展概述 1. 集成电路的基本单元（有源元件） 二极管： 按结构和工艺： 金/半接触二极管：肖特基二极管、（点接触二极管） 面结型二极管：合金结二极管、扩散结二极管、 生长结二极管、异质结二极管等 按功能和机理： 振荡、放大类：耿氏二极管、雪崩二极管、变容二极管等 信号控制类：混频二极管、开关二极管、隧道开关二极管、 检波二极管、稳压二极管、阶跃二极管等 光电类：发光二极管(LED)（半导体激光器）、 光电二极管（探测器） 晶体管： 双极型晶体管：（NPN、PNP） 合金管、合金扩散管、台面管、外延台面管、 平面管、外延平面管等 场效应晶体管：（P沟、N沟；增强型、耗尽型） MOS场效应晶体管（MOSFET）、 结型场效应晶体管（JFET）、 肖特基势垒场效应晶体管（SBFET） 2. 集成电路的分类 按功能： 数字集成电路、模拟集成电路、微波集成电路、 射频集成电路、其它； 按工艺： 半导体集成电路（双极型、MOS型、BiCMOS）、 薄/厚膜集成电路、混合集成电路 按有源器件： 双极型、MOS型、BiCMOS、光电集成电路、 CCD集成电路、传感器/换能器集成电路 按集成规模： 小规模（SSI）、中规模（MSI）、 大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、 甚大规模（ULSI）、巨大规模（GLSI） 3. 基本工艺流程举例 几种二极管的基本结构 合金 平面 生长（异质） 台面 Schottky 几种晶体管的基本结构 合金 生长（异质） 平面1 平面2 MOS 元器件的平面结构 3）IC的基本制造环节 晶片加工 外延生长 介质膜生长 图形加工 局域掺杂 金属合金 封装、测试 4) 发展（历史和现状） 出现，IC、 LSI、 VLSI和ULSI 规律，特征尺寸，工业化方式和SoC趋势 MEMS、OEIC、MOMES和生物芯片 1） 微电子机械系统（MEMS） 2） 光电子集成芯片 以微电子加工技术为基础，将激光器、光调制器、光开关等光子器件通过光波导的互连而优化集成在一个芯片上，实现各种系统功能。 硅基材料、光学晶体、光学薄膜 3） DNA芯片 基本思想是通过施加电场等措施，使一些特殊的物质能够反映出某种基因的特性。 制作高密度的特定的探针阵列性芯片——进行基因识别和分析 “生物成分分析芯片” ——LoS（Lab on System） 5. 微电子技术的发展趋势 1）集成电路 超大（单元数、芯片面积）——超微（关键尺寸） 多功能、高性能（快速、低功耗、抗干扰）、 SoC（System on Chip） 低成本 高可靠性 2）工艺技术 大直径材料（8”、12”、15”、...... ） 光刻极限 (0.35、0.25、0.18、0.13、90nm、65nm ...... ） 新结构器件（纳电子、分子器件、自旋电子学 ……） 超纯环境和材料（半导体材料、介质材料、试剂）、新测试和封装技术