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3. VCC对Q点的影响 VCC的变化不仅影响 IBQ,还影响直流负载线, 因此, VCC对Q点的影响 较复杂。 VCC上升, IBQ增大, 直流负载线M点和N点 同时增大,故直流负载线 平行上移，所以工作点向右上方移动。 VCC下降, IBQ下降, 同时直流负载线平行下移。 所以工作点向左下方移动。 实际调试中, 主要通过改变电阻Rb来改变静态工 作点,而很少通过改变VCC来改变工作点。 3.3.2 动态工作情况分析 一、 放大电路在接入正弦信号时的工作情况 1. 根据vi在输入特性上求iB ?t vi 2. 根据iB在输出特性上求iC和vCE Q1 Q2 Q1 Q2 二、 交流负载线 放大电路在工作时，输出端总要接上负载。 静态时,由于电容Cb2的作用, 负载RL对电路的Q点无影响。 RL 动态时,电容Cb2的容抗可忽略。 交流通路 iC 放大电路的交流负载电阻为R’L R’L = RC‖RL = RCRL RC + RL 二、 交流负载线 iC 对交流分量来说，表示 电压、电流关系的负载线的 斜率应该是-1/R’L。 斜率为-1/RC的负载线叫 直流负载线 斜率为-1/R ’L的负载线叫 交流负载线 交流负载线具有如下两个特点:  (1) 交流负载线必通过静态工作点。 因为当输入 信号vi的瞬时值为零时, 如果忽略电容Cb1和Cb2的影 响, 则电路状态和静态时相同。  (2) 交流负载线的斜率由 -1/R ’L表示。 过Q点, 作一条斜率为 -1/R ’L 的直线, 就是交流负载线 由于R ’L= RC‖RL, 故一般情况下交流负载线比直流负载线陡。 具体作法如下: 首先作一条 △U /△I = R ’L的辅助线(此线有无数条) 然后过Q点作一条平行于辅助线的线即为交流负载线, 三、BJT的三个工作区域 直流工作点Q的位置 如果设置不当，会使放大 器输出波形产生明显的非 线性失真。 截止区 饱 和 区 放 大 区 输出特性分为三个区： 截止区、放大区和饱和区  Q点设置过低，在输入 电压负半周的部分时间内，动态工作点进入截止区， 使iB，iC不能跟随输入变化而恒为零，从而引起iB， iC和VCE的波形发生失真，这种失真称为截止失真。  非线性失真︱截止失真 对于NPN管的共射极放大器，当发生截止失真 时，其输出电压波形的顶部被限幅在某一数值上。 Q点不合适产生的 若Q点设置过高，则在输入电压正半周的部分 时间内，动态工作点进入饱和区。此时，当iB增大 时，iC则不能随之增大，因而也将引起 iC 和VCE波 形的失真，这种失真称为饱和失真。 非线性失真︱饱和失真 对于NPN管的共射极放大器，当发生饱和失真 时，其输出电压波形的底部被限幅在某一数值上。 Q点不合适产生的 由于受晶体管截止和饱和的限制 , 放大器的不失 真输出电压有一个范围 , 其最大值称为放大器输出动 态范围。由以上分析可知 , 因受截止失真限制 , 其最 大不失真输出电压的幅度为 而因饱和失真的限制，最大不失真输出电压的幅度 则为 Vom=ICQ R’L Vom= VCEQ － VCES 式中，VCES表示晶体管的临界饱和压降。比较 以上二式所确定的数值，其中较小的即为放大器最 大不失真输出电压的幅度，而输出动态范围Vopp则为 该幅度的两倍，即 Vopp=2Vom 显然 , 为了充分利用晶体管的放大区 , 使输出动态 范围最大 , 直流工作点应选在交流负载线的中点处。 模拟 电 子 讲 义 第三章 第三章 半导体三极管及放大电路 3.1 半导体BJT BJT的种类繁多 高频管、低频管 按频率分: 大、中、小功率管 按功率分: 硅管、锗管 按材料分: NPN、PNP 按结构分: 半导体三极管又叫晶体三极管或双极型晶体管， 简称为晶体管。 半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 3.1.1 BJT的结构 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在