模拟电子技术 常用半导体器件学习指导书.pptVIP

1.3 双极型半导体三极管 1.3.1 结构与符号 1.3.2 电流的分配与控制 1.3.3 电流关系 1.3.4 伏安特性曲线 1.3.5 主要参数与型号 1.3.1结构与符号 双极型三极管的结构如图。它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 1.3.1 两种极性的双极型三极管 内部结构特点： 发射区的掺杂浓度最大， 基区的掺杂浓度最小。 集电区的面积比发射区的面积大， 它们并不对称。 基区要制造得很薄， 其厚度一般在几个微米至几十个微米。 1.3.2 电流分配与控制 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 IE= IEN+ IEP 且IENIEP IEN=ICN+ IBN 且IEN IBN ICNIBN 1.3.3电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 1.3.4 伏安特性曲线 其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V, vBE ≥0.7 V时，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域 。 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.3.5 主要参数与型号 一.半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 在放大区基本不变 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? ②极间反向电流 1.集电极基极间 反向饱和电流ICBO 它相当于集电结的反向 饱和电流。 在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 ?IC/?IB。或在图上通过求某一点的 斜率得到?。具体方 法如图所示。 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 半导体三极管图片 半导体三极管图片 二.半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 表1.3.1 双极型三极管的参数 * * 半导体三极管有两大类型 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 双极型半导体 三极管是由两种载 流子参与导电的半 导体器件，它由两 个 PN 结组合而成 e-b间的PN结称为发射结(Je)