模拟电路 双极型晶体管及其学习指导书.pptVIP

第2章 双极型晶体管及其放大电路 2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法2–7 共集电极放大器和共基极放大器2–8 放大器的级联 2–1 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管(Transistor)。 晶体管内有两种载流子导电，因此又称为双极性晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor ）。BJT有两种类型：NPN和PNP。 2–1–1放大状态下晶体管中载流子的传输过程 通常晶体管是工作在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下。 2–1–2电流分配关系 由以上分析可知，晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下关系： 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 ? ? 2–1–3 晶体管的放大作用 处于一定条件下的晶体管电路，有放大作用。现在用图2–2来说明。若在图中UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压Δui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiE，例如为1mA。 晶体管的放大作用不是凭空产生的，其是由电源提供的。晶体管只是起到控制作用，即用小信号去按一定比例控制输出信号。 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。 2–2–1 晶体管共发射极特性曲线 因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图2–4电路逐点测出。 一、共发射极输出特性曲线 测量电路如图2–4所示。共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 典型的共射输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。 1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。 3 截止区 e结和c结均处于反偏，且iB≤－ICBO为截止区。可以认为iB ≤0时，管子便处于截止状态。  二、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2–4。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 (1)在uCE≥1V的条件下，当uBEUBE(on)时，iB≈0。 UBE(on)为晶体管的导通电压或死区电压，硅管约为0.5~0.6V，锗管约为0.1V。当uBE UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2)当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移，见图2–6。 (3)当uCE在0~1V之间时，随着uCE的增加，曲线右移。特别在0 uCE ≤UCE(sat)的范围内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。 (4)当uBE0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反向电压超