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1.3 半导体二极管的应用 在分析二极管应用时，通常把二极管理想化。具体做法是：把二极管的正向电阻视为零，反向电阻视为无穷大，结电容视为零。 因此，理想二极管正偏时，可视为短路线；反偏时，可视为开路。 在分析整流，限幅和电平选择时，都可以把二极管理想化。 2.变容二极管 变容二极管是利用PN结的电容效应制成的，其电容量随着外加反向电压的变化而改变。主要用来实现“电压-频率变换”。 3.发光二极管 发光二极管简称LED,它是一种把电能转化成光能的半导体器件。在外加正偏压的作用下，P区和N区的多字向对方扩散，并与对方的多子复合。复合过程中，部分能量以光的形式释放出来。 为使发光二极管正常工作，必须使其向电压大于门限电压，工作电流要合适。 4.光电二极管 光电二极管是以后总把光信号转化为电信号的半导体器件。结构与普通的二极管相似，只是在管壳上留着一个光线入射窗口。 光电二极管在反偏状态下工作。 上页 下页 后退 模拟电子 1.3 半导体二极管的应用 1.3.1 在整流电路中的应用 整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路 。 整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混合电压，习惯上称单向脉动性直流电压。 常见的整流电路有 半波整流电路 全波整流电路 桥式整流电路 设 桥式整流电路 + _ uO TR u2 + _ u1 a b + _ RL D1 D2 D4 D3 1. 工作原理 a. 当u20时 输出波形 电流流动方向 D1 D2 D4 D3 + _ uO TR u2 + _ u1 a b + _ RL b. 当u20时 输出波形 电流流动方向 + _ uO TR u2 + _ u1 a b + _ RL D1 D2 D4 D3 1.3.3 限幅电路 工作原理 a. 当ui较小使二极管D1 、D1截止时 电路正常放大 b. 当ui 较大使二极管D1 或D1导通时 R D2 A Ri + – + – D1 + – ui t 0 输入电压波形 R D2 A Ri + – + – D1 + – 输出端电压波形 ui t 0 2UF R D2 A Ri + – + – D1 + – 1.4 特种二极管 1.4.1 硅稳压二极管 特点： a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于反向电击穿状态用来稳定直流电压 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A 0 UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 正极 负极 正极 负极 U 正极 负极 U PN结正偏动画演示 小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成 多子的扩散电流（较大）。 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 2．PN结反向偏置 PN结反偏动画演示 小结： ▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。 ▲因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 1.1.3 PN结的电压与电流关系 + + + + + + _ P N _ _ _ _ _ u i IS—PN结反向饱和电流 UT —热电压 式中 UT=KT q q——电子电量 T——绝对温度 在室温（T=300K)时， K——玻耳兹曼常数 其中 （1）当u=0时，i=0 （3） 当u0，且|u|UT时，i?-IS 讨论： （2）当u0，且uUT时， 思 考 题 1. 半导体中的载流子浓度主要与那些因素有关？ 2. 温度升高，半导体的导电率如何变化？ 3. 扩散电流与漂移电流的区别是什么？ 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 二极管就是一个封装的PN结 平面型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 半导体二极管的外型和符号 负极 外型 正极 正极 负极 符号 半导体二极管的类型 （1）按使用的半导体材料不同分为 （2）按结构形式不同分 硅管 锗管 点接触型 平面型 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 硅管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 0 0. 8 反向特性 锗管 正向特性 uD iD (1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。 (2) 有死区（iD≈0的区域） 1．正向特性 死区电压约为 硅管0.7V 锗管0.3V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压