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（c）uDS↑→uGD＝uGS－uDS降至uGD＝UGS（off）→d极一侧耗尽层出现夹断区——预夹断 （d）uDS↑→uGD＝uGS－uDS降至uGD＜UGS（off）→耗尽层夹断区沿沟道延伸，夹断区延长 此时后果：Ⅰ.电子从s→d移动阻力加大，iD↓ Ⅱ.uDS↑→iD↑ Ⅰ、Ⅱ相互抵消→uDS的增大几乎全部用于克服夹断区对iD的阻力 ∴uDS↑→iD几乎不变——恒流 * * 第一章 常用半导体器件 内容提要： 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和可控硅 1.6 集成电路中的元件 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 半导体的导电性能具有可控性：光敏性、热敏性、掺杂性 具有纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体。 共价键结构 本征半导体中的2种载流子：自由电子＋空穴 绝对零度（-273℃）时，由于共价键的稳定结构，无电子挣脱束缚、不导电。 二、杂质半导体 1、N型半导体 施主原子 2、P型半导体 受主原子 注意：多子浓度＝掺杂浓度，几乎不受温度影响，少子浓度受温度影响。 三、PN结 1、PN结的形成 2种运动 正向导通 2、 PN结的单向导电性 规定：正向偏置——PN结外加正向电压（P＋,N－） 反向偏置——PN结外加反向电压（P－,N＋） ①正向偏置 ②反向偏置 反向截止 ③PN结电流方程——PN结所加电压u与流过它的电流i的关系 IS 反向饱和电流；q 电子电量；k 玻耳兹曼常数； T 热力学温度； UT—kT/q T＝300K（常温）时，UT＝26mV ④PN结伏安特性 正偏：u＞＞UT ， 反偏： u ＞＞UT ， 正向特性： u大于一定值（阈值电压）后电流随u增大而急剧增大（指数规律），u为（导通电压）一定值后之后电流增大而电压值几乎不变——正向导通。 反向特性： 反向截至，电流几乎为零；当反向电压超过一定数值U（BR）（反向击穿电压）后，反向电流急剧增大而反向电压值不变——反向击穿。 1.2 半导体二极管 伏安特性 对温度敏感： T↑→正向特性左移，反向特性下移 Uon （Uth） U（UD） IS 硅（Si） 0.5V 0.7V ＜0.1μA 锗（Ge） 0.1V 0.2V 几十μA 主要参数 作为一名工程设计人员的必备知识 1、最大整流电流IF 2、最高反向工作电压UR，一般为1/2UBR 3、反向电流IR，越小越好 4、最高工作频率fM 四、等效电路（模型） 1、 伏安特性折线化 （a）理想二极管 导通时正向压降为0，截至时反向电流为0 （b）恒压源模型 导通时正向电压为一恒值UD——导通电压（书上用UON，有问题），截止时为0，硅：0.7V，锗：0.2V （c）正向导通电压与电流成线性关系，考虑体电阻rD， 2、微变等效电路 Q点：外加直流正向电压时有一直流电流 在Q点基础上外加微小变化电压ΔUD，用一动态电阻rd＝ΔuD/ΔiD 来表示此时的二极管。rd为Q点切线斜率的倒数，Q越高→rd越小。 教材中推导得：rd≈UT/ID——记！ 五、稳压二极管 二极管反向击穿特性的应用：二极管在反向击穿时，一定电流范围内，反向端电压几乎不变。 1、伏安特性 正向：与普通二极管相同 反向：外加反向电压达到一定值时击穿，击穿区很陡，稳压特性好。一定电流范围内不会热击穿，UZ表示反向击穿且稳定的电压。 2、主要参数 ⑴稳定电压UZ，根据型号不同，就某一只管子而言为定值 ⑵稳定电流IZ ⑶额定功耗PZM ⑷动态电阻rZ ⑸温度系数α 求限流电阻R的取值范围 1.3 半导体三极管 BJT ------Bipolar Junction Transistor 又称为双极型晶体管（相对于单极型）、晶体三极管、或简称晶体管 分类：NPN、PNP 三个区：发射区（掺杂浓度高）、集电区、基区（掺杂浓度低） 三个极：发射极e——