模电常用半导体器件学习指导书.pptVIP

模拟电子技术C 电气与电子工程学院 电工电子教研室 张岩 E-mail：zhangyan07sdut@126.com Tell1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 3、按PN结结构类型分： 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 有利就有弊 一、二极管的结构与分类 二、二极管的伏安特性 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 （1） 单向导电性 （2） 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 增大1倍/10℃ 二、二极管的伏安特性 伏安特性曲线体现出的问题： 三、二极管的主要参数 电子器件的参数是其特性的定量描述，也是实际工作中选择器件的主要依据。各种器件的参数可由手册查询。 1、最大整流电流 IF 二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。工作时管子的平均电流值超过此值会使二极管过热而损坏。 2、反向击穿电压 UBR 和最高反向工作电压 UR 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过UR，否则二极管可能被击穿。为留有余地，通常将反向击穿电压UBR的一半定为UR。 3、反向电流 IR 室温条件下在二极管两端加上规定的反向电压时流过管子的反向电流。 通常希望IR越小越好，IR越小说明二极管的单向导电性越好；IR是由少子形成，所以其值受温度影响很大。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4、最高工作频率 fM 主要取决于PN结结电容的大小。结电容越大fM越低。 5、直流电阻 RD 6、动态电阻 rd 二极管正向特性曲线斜率的倒数 。 Q越高，rd越小。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻。 四、二极管的模型 1、理想模型（理想二极管） 正向短路 ，反向断路。 四、二极管的模型 2、恒压降模型（常用） 反向断路，正向导通前断路，导通后有恒定压降，内阻为0。 硅管：0.6V 锗管：0.3V 例题1 R=1kΩ，RL=3kΩ，二极管为理想二极管，求电路中电流 IO 和输出电压 UO 值。 解： 阳极电位： UP = 15 V UP UN，二极管导通 UO= 15 V IO= UO / RL= 15 V/ 3 k? = 5mA 阴极电位： 则： 例题2 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 例题3 ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 五、稳压二极管 若二极管工作在反向击穿区，则当反向电流有一个比较大的变化量ΔI时，管子两端相应的电压变化量ΔU却很小，利用这一点就可以实现“稳压”的功能。 稳压管的伏安特性与硅二