光电耦合器可靠性的噪声表征1.doc

光电耦合器CTR的噪声表征 胡瑾1 杜磊1庄奕琪2何亮1 包军林2黄小君1陈春霞1 卫涛1 王栋1 1.西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071 2.西安电子科技大学微电子学院，西安 710071 摘要 光电耦合器件陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素，并与可靠性有密切关系。在器件内部的多种噪声中，低频1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度。本文在研究红外光电耦合器（后简称光电耦合器）工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上，建立了光电耦合器的CTR表征模型及1/f噪声模型。通过所建立光电耦合器电学模型和噪声模型得到了光电耦合器性能表征参量CTR与低频1/f噪声之间定性的关系。在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声，实验结果与理论模型符合良好。通过对其测量结果分析，深入研究了噪声和CTR的关系,证明噪声可以较电学参数更准确地反映器件可靠性，噪声幅值越大，电流指数越接近于2，则器件的可靠性越差，相同工作条件下CTR的老化衰减量越大，继而影响器件可靠性，造成失效率显著增大。 关键词:1/f噪声；光电耦合器；电流传输比；陷阱 PACC:7270, 5225G, 7960 1. 引言 近年来，随着光电混合集成电路技术的发展及生产工艺的日趋成熟,光电耦合器件在军用和民用领域都受到人们普遍青睐。但是，由于红外光电耦合器自身的结构较一般器件复杂，对其质量和可靠性的控制、预测和评估也较一般混合电路困难和复杂。导致光电耦合器性能退化降低的主要因素是电流传输比(CTR)降低退化。而CTR降低退化的主要原因是材料本身存在缺陷或杂质，电流电压不在合理工作区范围内，以及由于环境等因素产生大量诱生缺陷等，而以上问题造成产品失效率增大，可靠性降低（原因没说清楚，这几层因素的逻辑关系是什么？）。由于CTR决定了器件的性能，所以一般用CTR作为光电耦合器的可靠性表征参量。具体应用时，根据光电耦合器的实际用途具体设定CTR门限值，当低于门限值就认为器件失效了。所以，CTR可以作为光电耦合器的失效表征参量或判据。在可靠性工程中，通过加速寿命试验和高低温循环实验，检测CTR变化来评定器件的可靠性。这种评估方法是破坏性的，而且所得结果是统计性的。近年来，失效物理可靠性评估方法日益受到人们重视［参考文献］（这句话突然冒出，又不准备展开讨论失效物理方法，这样写不合适，论文可不涉及失效物理，论文线索简单化比较好。）。噪声作为比传统可靠性表征参量更为灵敏，且含有更为丰富器件缺陷信息受到重视[1-2]［参考文献］。的表征参量在失效物理评估方法中发挥着越来越大的作用。研究结果表理论和实验均已证明[2,3]，过剩低频噪声通常是由器件中的杂质和缺陷和不完整性引起的，如氧化层陷阱、晶格位错等，而这些缺陷正是引起器件失效的主要因素，故过剩低频噪声尤其是1/f噪声与器件可靠性有密切的关系。如上所述，缺陷也是引起电耦合器CTR降低的主要因素，如此推断过剩低频噪声也有望用于光电耦合器CTR降低的表征。基于这一设想，本文在发光二极管可靠性噪声表征模型[11]的基础上，研究噪声用于光电耦合器CTR表征的方法。已建立了一些相对简单器件的可靠性噪声表征模型，如，发光二极管、MOS场效应管等.从而为实现低频噪声表征光电耦合器CTR衰减的，提供了很好的理论基础和研究手段，故产生了用测量光电耦合器的噪声功率谱的方法作为器件可靠性测试方法。 本文首先对器件的内部结构进行了研究，建立光电耦合器的CTR模型，证明陷阱密度是影响光电耦合器发光效率等性能参数的重要因素。其次，建立光电耦合器低频噪声模型，该低频噪声模型可以有效地表征陷阱密度。在上述两模型基础上，得到噪声与CTR之间的关系，从而建立起光电耦合器CTR的噪声表征方法。本文通过在宽范围输入电流条件下测量了器件的电学噪声，结合其电学特性测量，证明上述理论模型的正确性。 2.模型 光电耦合器是把发光器件和受光(光敏)器件封装在同一壳体内的光电转换器件的总称。通过输入端加电信号,发光二极管发出光,光敏探测器接收到光照后,产生光电效应,输出电信号。如此实现“电信号→光信号→电信号”的转换与传输。本文模型是首先建立器件在发光部分和光敏部分基础上，再通过耦合的方式得到统一光电耦合器件模型。 2.1 CTR表征模型 电流传输比CTR(current transfer ratio)指输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比，即CTR=(/ )×100%.它不是一个常数,而是随时间而变化的,故在传输小信号时,用直流传输比是不恰当的,应引进交流传输比ΔCTR，它表示CTR随时间的变化，因而在做老化失效试验时，通常使用ΔCTR．本文CTR表征模型针对CTR和ΔCTR分别建立。 2.1.1 发光二极管 发光二极管