3薄膜的物理气相沉积(Ⅱ)-溅射法及其他PVD方法辩析.pptVIP

薄膜的物理气相沉积 第三章 薄膜的物理气相沉积（Ⅱ） ——溅射法及其他PVD方法 溅射法：带有电荷的离子被电场加速后具有一 定动能，将离子引向欲被溅射的靶电极。在离 子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原 子的碰撞过程中将后者溅射出来。溅射原子带 有一定动能，且沿一定方向射向衬底，实现衬 底上薄膜的沉积。 3.1 气体放电与等离子体 3.1.1 气体放电现象描述 V=E-IR 3.1.2 辉光放电现象及等离子体鞘层 等离子体：由离子、电子以及中性原子和原子团 组成，宏观上对外呈现出电中性。 电子由于极易在电场中加速而获得能量，因而 平均速度比较快。 离子能量及平均速度均远远低于电子。 鞘层电位 3.1.3 辉光放电的碰撞过程 3.2 物质的溅射现象 3.2.1 溅射产额 （1）入射离子能量 （2）入射离子种类和被溅射物质种类 （3）离子入射角度 （4）靶材温度 3.2.2 合金的溅射和沉积 3.3 溅射沉积装置 3.3.1 直流溅射 3.3.2 射频溅射 3.3.3 磁控溅射★ 3.3.4 反应溅射 3.3.7 离子束溅射 3.4 其他PVD方法 3.4.1 离子镀★ 3.4.2 反应蒸发沉积 3.4.3 离子束辅助沉积 3.4.4 离化团束沉积 本章小结 1. 溅射、溅射法及其特点 2. 辉光放电原理、过程 3. 等离子体鞘层及其电位分布 4. 溅射产额及影响因素、溅射阈值 5. 溅射沉积装置 （直流溅射，射频溅射，磁控溅射） 6. 离子镀，反应蒸发沉积，离子束辅助沉积 随着活性气体压力的增加，靶材表面也可能形成一层相应的化合物，并导致溅射和薄膜沉积速率的降低，即靶材的中毒。 图3.25 溅射速率随反应气体流量的变化曲线 反应气体流量 沉积速率 ● ● ● ● ● A B C D E Back 避免靶材中毒的措施： 将反应气体的输入位置尽量设置在远离靶材而靠近衬底的地方，提高活性气体的利用效率，抑制其与靶材表面反应的进行。 提高靶材的溅射速率，降低活性气体吸附的相对影响。 采用中频或脉冲溅射技术。 离子束溅射： 离子产生区的真空度保持在10-1Pa的数量级； 溅射区的真空度则可维持在10-3~10-7Pa的范围。 优点： 1. 真空度高，气体杂质污染小，薄膜纯度高； 2. 衬底附近没有等离子，不会产生等离子体轰击 导致衬底温度上升、电子和离子轰击损伤等问题； 3. 可以精确控制离子束的能量、束流的大小和方 向，且溅射出的原子不经过碰撞过程直接沉积为 薄膜，因而很适合于作为薄膜沉积的研究手段。 缺点： 装置复杂，薄膜沉积速率较低，且设备的运行成本 较高。 Back 离子镀 Ion Plating 反应蒸发沉积 Reactive Evaporation 离子束辅助沉积 Ion Beam Assisted Deposition 离化团束沉积 Ionized Cluster Beam Deposition 等离子体浸没式离子沉积 Plasma Immersion Ion Deposition ——不同手段的结合或某种方法的改进 使用电子束蒸发法提供沉积的源物质，同时以衬底作为阴极、真空室作为阳极组成一个类似二级溅射（直流或射频）装置，在沉积前和沉积中采用高能量的离子流对衬底和薄膜进行溅射处理。 ——结合蒸发与溅射技术 工作过程： （1）充入工作气体（Ar, 0.1~1Pa）； （2）加压使气体发生辉光放电，产生等离子体；（离子轰击衬底，溅射清除表面污染物） （3）蒸发（保证溅射速度低于蒸发沉积速度） （4） Ar+与蒸发原子间电荷交换，后者部分电离； （5）蒸发物质轰击衬底，实现薄膜沉积。 优点： 薄膜与衬底间附着力良好，薄膜结构致密； （离子轰击衬底和薄膜表面，在薄膜与衬底之间形成粗糙洁净的界面，并形成均匀致密的薄膜结构和抑制柱状晶生长） 可以提高薄膜对于复杂外形表面的覆盖能力，即绕射能力。 （沉积原子从与离子碰撞中获得一定能量，加上离子本身的轰击等，造成原子在沉积至衬底表面时具有更高的动能和迁移能力） Ar O2、N2、CH4 其他形式： 空心阴极离子镀HCD 真空阴极电弧离子镀VAD及多弧离子镀 磁过滤式真空阴极电弧离子镀FCVAD 主要应用领域：钢及其他金属材料的硬质涂层，比如各种工具耐磨涂层中广泛使用的TiN、CrN等。 PVD三种基本镀膜方法比较 Back Back 反应蒸发沉积：使金属蒸气通过活性气氛等离子体区后，沉积并反应生成相应的化合物。 应用领域：各种氧化物、碳化物、氮化物硬质涂层的沉积。 偏压溅射：离子对