2.3 与理想模型的偏离.pptVIP

2.3 直流特性与理想模型的偏离 西南科技大学理学院 2011.3.1 一、复 习 PN结中电子和空穴的扩散电流密度分别为 一、复 习 正偏时势垒区两边界附近少子浓度的变化 一、复 习 无限长pn结伏安特性方程 二、理想pn结模型（四个假设） （1）不考虑势垒区中的产生与复合 结果：电子、空穴电流通过势垒区时保持不变 （2）小注入 结果：多子浓度约等于平衡时浓度，对少子只需要考虑扩散电流 （3）耗尽层近似 结果：空间电荷区为高阻区，外加电压几乎降落在空间电荷区 二、理想pn结模型 （4）势垒区两边界处载流子浓度服从波尔兹曼分布 结果： 二、理想pn结模型 I-V特性曲线 三、实际PN结直流I-V特性与理想模型的偏离 1、实际直流I-V特性的特点 （1）反向： 反向V↑， 增大 （2）正向： 正向电流较小时， 正向电流较大时， 正向电流一般大小时， 2、实际与理想I-V特性曲线对比 I-V特性曲线 3、引起偏离的原因 偏离原因一 势垒区产生电流对PN结反向电流的影响 分析：反偏时势垒区总电场大于平衡时内建电场→势垒区边界处少子浓度为零→势垒区内部载流子浓度为0