用三氯氧磷为N型硅掺杂工艺指南概要.docxVIP

三氯氧磷作为N型硅掺杂剂的工艺描述氧氯化磷（POCl 3）是一种用于n型区到硅衬底上扩散液磷源。掺杂浓度可以控制以提供接近使用双极器件或轻掺杂区的固溶度水平MOS器件。掺杂材料可以用来形成双极器件的发射区，源/漏和掺杂的多晶硅MOS器件结构中的应用。氧氯化磷（POCl 3）氧化在正常工艺温度与氧形成P 2 0 5。这种材料是由硅暴露在晶片表面形成元素反应降低磷和硅。在这一点上的磷扩散到硅的速度通过对加热炉温度的确定。扩散深度或结深，（XJ），发现用在炉内温度的材料的扩散系数。对氧化的化学反应POCl 3如下：过程性能掺杂进入扩散管必须加以控制，使电阻率量，保持过程的一致性和可重复性。这种控制是通过喷水保持化学和载气流量的精确控制恒定的温度来实现的。图1为材料的蒸气压曲线。最常使用的鼓泡装置温度是20°C。要保持鼓泡装置温度至少5°C降低温度比周围围绕连接鼓泡装置对炉管温度。这可以防止形成冷凝水从喷水导致扩散管的线。这也是确保选择的化学温度会使气体控制器的操作单元的校准范围内重要。这是重要的当用热质量流量气体控制器。载气的选择最常见的载气，是用在工业氮气。氩还可以用于如果需要使用真正的惰性气体作为载气的化学。在任何情况下都应该氧气作为载气的化学。这是一个非常不安全的做法在过去是常见的行业内。这样的做法会引起鼓泡器和化学遏制损失的失败。惰性载气的选择是明智的安全运行。拿起材料率是独立的载气。化学质量流量图2是在不同载气流速和起泡温度POCl 3摄取速度。这些值是用以下公式计算：O(M,?)POCl3= POCl3摄取率克/每分钟Pvap=POCl3在鼓泡时温度下的压强PB=鼓泡装置所在的大气压强MW=相对分子质量（MPOCL3=153.33 g/mol）QC2=载流速度SCCM （标准毫升/分钟）设置过程在设置POCl 3过程的第一步是找到该管的实际容积。这是通过使用下面的公式做了：V-----在升管总体积R-----扩散管半径L------在扩散管的长度使用例子中215.9cm管直径和长度在14厘米的管，将用于在沉积过程中，以下步骤应该被用来决定该三维气体流动的范围。1、发现体积管的使用上面列出的方程。半径为7.0cm和长度215.9cm因此体积（3.1416 x 49 x 1000 = 215.9）为33.24L。这是管将用于沉积的POCl 3总体积。2、决定速率的气体将所需的过程。气体的交换率应在3~7分钟。这将对晶片表面提供足够的新的原料来源。汇率也将被用于沉积源流动时间。这个信息被发现在图4的讨论后。调整汇率可能会在稍后的讨论。作为一个实际的例子，大多数炉设置UPS为5分钟是最好的。在本例中5分钟将使用。3、现在把该管的体积通过汇率和找到答案。使用步骤1中的体积为例，答案是33.24除以5等于6.65升每分钟的主要氮气体流量。4、发现通过计算5%的6.65L的主要氮流量过程所需的氧气量，结果是0.332升每分钟，是需要所有的化学反应为氧化环境，氧流量。5。发现载气通过计算5%的6.65L的主要氮流量或0.332载流过程所需量。5%是用在鼓泡装置温度20°，这将导致0.332 SLM载体流发生载流。其他起泡温度使用图3就能找到实际的比例。在最后的步骤中提供的信息，例如炉管中气体流动如下：主要氮 = 6.65 SLM（Standard Liter per Minute）是表示每分钟标准升氧流量 = 0.332 SLM载体氮流= 0.332 SLM at 20°C最后必须对载气流量是海拔高度调整。海拔高程的影响饱和点。除非这个校正,载气流量的差异将大到足以产生问题。这个过程可能导致的困难当气体流从一个网站到另一个位置,当有一个高程差。从图4这校正将被用来减少载体流随着海拔高度的增加。图4提供了一个快速修正的、没有重新计算实际的质量流量。这种校正载气流量高程将确保任何变化将产生相同的炉内气体流动状况。有必要使这个修正发现掺杂剂的实际质量流量进入炉过程。作为一个粗略的近似,压力下降lmm 40.6英尺海拔高程的变化。此时的唯一信息缺失的是实际的源代码运行时间在几分钟内，承运人将鼓泡的实际来源的运行时间和温度需要操作高炉生产所需的电沉积。解决了最后两个未知数，就要看在不同温度下的磷硅中的固溶度。在不同温度下的磷硅中的固溶度:信息表明，最高将在1150°C的温度下达到。这个信息可以用来到达基于各种炉温度范围源流时间。这个一般信息可以为流程提供一个粗略的起点。电阻率范围的重叠是由于不同的时间源。在每一个时间范围从5分钟到50分钟的时间源流量变化。使用此信息，曲线可以开发将更详细的覆盖范围。这一信息如图5所示。在所有的例子中，将给予源周期包括以下：采样过程他只遵循流程作为示例提供单一顺序和过程开发旨在提供一个起点。给出的信息和公式对普通悬