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基底完整压印光刻技术及其应用前景 2010-8-16 　作者：冀然, SUSS MicroTec Lithograh GmbH（德国苏斯光刻有限公司） 　来源: 半导体国际 核心提示：基于软模压印技术，德国苏斯光刻机有限公司与飞利浦研发部门MiPlaza 联合开发出以苏斯掩模光刻机为基础的基底完整压印光刻（SCIL- Substrate Conformal Imprint Lithography）技术，实现了纳米压印光刻工艺中的“软”与“硬”的完美结合，在工程设计和技术工艺上很好的解决了上面提到的纳米压印光刻中所面临的各种难题，为科研单位和大规模生产的工业用户提供高效可行的纳米压印光刻解决方案。这篇文章中我们将系统地介绍SCIL 技术以及产业化应用前景。 近年来, 半导体照明技术在全球范围内引起了广泛关注。相关的产业也开始蓬勃发展。预计到2010年全球发光二极管（LED）产业市场总值将达到90亿美金1。然而，目前由于发光效率的限制，LED的应用还被局限在诸如手机，掌上电脑，笔记本电脑或者汽车导航等便携设备终端的背光照明上。想要把LED这种技术应用于更多的日常照明领域，它的发光效率还有待显著的提高。在科学上光子晶体（PhC）结构已经被证明可以有效的提高发光二极管的发光效率2。然而如何在发光二极管基底上面有效地低成本地生产这种高分辨率的光子晶体结构一直是对光刻生产工艺的巨大挑战。传统的大面积掩模光刻技术无法满足在波长范围的精度要求，电子束光刻的精度足够, 但是另一方面基于它的扫描曝光原理产能又太低。步进式光刻机目前可以满足精度和产能两方面的需求，但是居高不下的机器价格又使得生产成本的控制捉襟见肘。于是新兴的纳米压印光刻（NIL）技术似乎成为这种应用的最佳选择。 纳米压印光刻技术分类及其局限性 自从1996年美籍华人史蒂芬.周首先提出了纳米压印光刻技术3的概念后，在全球范围内掀起了一场科研领域的高潮。众多的文章中都提到纳米压印光刻很有可能取代现有步进式光刻成为下一代主流光刻技术，是极紫外光刻技术最有力的竞争者。它具有高分辨率，高产能以及低生产成本等特性。纳米压印光刻的主要分支有热压印（hot embossing），紫外压印（UV-NIL）4以及软模压印（soft lithography）5等。 热压印技术（图 1）以硅或者镍材料的硬质模板和热塑性压印材料为基础，可以实现大面积高精度的模板结构复制，然而由于热塑性材料所需的加热和冷却过程，产能和对准能力受到限制，无法满足大规模生产的要求，而且压印过程中所需的高压力很容易造成模板的损伤。 图1. 热压印原理示意图。 紫外压印技术（图 2）使用透明的石英模板和可以通过紫外曝光固化的液态压印材料以及很低的压力，可以在室温下压印分辨率低于10 纳米的结构，而且由于无需加热等过程，只需要紫外曝光固化，对准精度和产能相对于热压印都有大幅度的改善。然而由于使用很低的压力，很难在大面积基底上实现均匀的接触（图 3），理论上最佳的接触面积只有一平方英寸左右，大面积的基底压印只有通过步进式压印机实现，目前产能和机器成本都无法满足大批量生产的需要。 图2. 紫外压印光刻原理示意图。 图3. 在大面积基底上无法使用硬质石英模板实现大面积均匀压印。 软模压印技术（图 4）使用软质聚合物模板，可以在很大面积上配合基底的不平整表面实现均匀接触，从而在很低的压力下使得大面积一次压印成为可能，并且由于软质模板通常都是从硬质模板复制得来，大大降低了生产中原始模板被损坏的可能，进而降低模板成本。由于生产环境的限制，颗粒状污染物是压印过程中无法避免的，这些沉积在模板或者基底上的污染物会在压力的作用下给硬质模板带来永久性的损伤，而软质聚合物模板则不受这种影响，它会在污染物周围产生可恢复的弹性形变，并且把污染物对压印结果的影响限制在最小的范围。 然而从另一个方面看，软模压印中模板的“软”也带来很多局限性，比如软模上结构在压印材料中的变形会影响结构分辨率，整个模板在压力作用下会产生横向拉伸，从而影响压印中的叠加和对准精度，还有软模在大面积的直接接触过程中也需要一定的压力去产生形变来配合基底的不平整表面，均匀接触和压力下模板的变形成为一种不可调和的矛盾。 图4. 软模压印原理示意图。 基底完整压印光刻（SCIL）技术6 基于软模压印技术，德国苏斯光刻机有限公司与飞利浦研发部门MiPlaza 联合开发出以苏斯掩模光刻机为基础的基底完整压印光刻（SCIL- Substrate Conformal Imprint Lithography）技术，实现了纳米压印光刻工艺中的“软”与“硬”的完美结合，在工程设计和技术工艺上很好的解决了上面提到的纳米压印光刻中所面临的各种难题，为科研单位和大规模生产的工业用户提供高效可行的纳