高电压复习重点整理.docVIP

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高电压复习重点整理

高电压复习重点整理 1、具体内容汤逊理论:汤逊理论实质就是电子崩理论。书P8-P11第二节至第三节 2、汤逊放电的实质是: 电子碰撞电离是气体放电的主要原因,二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子,逸出电子是维持气体放电的必要条件。所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。 3、流注理论(P13)认为:在初始阶段,气体放电以碰撞电离和电子崩的形式出现,但当电子崩发展到足够的程度后,电子崩中的空间电荷足以使原电场(外施电压在气隙中产生的电场)明显畸变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场。另一方面,电子崩中电荷密度很大,所以复合过程频繁,放射出的光子在这部分强场区很容易成为引发新的空间光电离的辐射源,因此流注理论认为:二次电子的主要光源是空间的光电离。这时放电转入新的流注阶段。流注的特点是电离强度很大和传播速度很快,出现流注后,放电便获得独立继续发展的能力,而不再依赖外界电离因子的作用,可见这时出现流注的条件也是自持放电的条件。 4、应用条件 汤逊理论:应用于均匀电场,低气压,短气隙 流注理论:应用于均匀电场,高气压,长气隙 5、二者的区别与联系 相同点:都有电子崩的产生 不同点: 流注的形成过程中有二次崩的形成、二次电离在气体击穿过程中起了重要作用。 在极不均匀电场中,放电一定从曲率半径较小的那个电极表面开始,与该电极极性无关。但后来的发展过程、气隙的电气强度、击穿电压等都与该电极的极性有密切的关系。极不均匀电场中的放电存在着明显的极性效应。(书上没说具体产生条件是什么,根据这段话理解我猜条件是极不均匀的电场中的放电吧。) 标准雷电压 P21页图1-16,IEC和我国国家标准规定:T1=1.2μs,容许偏差±30%;T2=50μs,容许误差±20%,通常写成1.2/50μs。 雷电流冲击波形 1、污闪过程(具体见P28):可分为积污、受潮、干区形成、局部电弧的出现和发展。 在遇到毛毛雨、雾、露等不利天气时,污层被水分湿润,电导大增,在工作电压下泄漏电流大增。电流产生的焦耳热烘干污层,形成干区。干区电阻比较大,整个绝缘子上的电压都集中在干区上,电场强度很大,引起局部表面空气碰撞电离,产生局部电弧。随后弧后支撑点附近湿污层被很快烘干,干区扩大,电弧被拉长,一旦达到某一临界长度,弧道温度已很高,弧道的进一步伸长就不再需要更高的电压,而是自动延伸直至贯通两级,完成污闪。污闪的根本原因是积污。 2、预防措施(P30起): (1)调整爬距(增大泄漏距离) (2)定期或不定期的清扫 (3)涂料(憎水性涂料如硅油、硅脂) (4)半导体釉绝缘子 (5)新型合成绝缘子 电气设备中多采用组合绝缘和层式结构,故在直流电压下均有明显的吸收现象,使外电路中有一个随时间衰减的吸收电流。在绝缘上施加一直流电压U,此电压与出现的电i之比即为绝缘电阻。极化比是令t=15s和t=60s瞬间的两个电流值I15和I60所对应的绝缘电阻值R15和R60的比, . 极化指数K2即指第10分钟和第1分钟时的绝缘电阻比值。 分为纯净液体击穿和工程用变压器油的击穿纯净液体击穿有两个理论,即电子碰撞电离理论和气泡击穿理论;而工程用变压器油的击穿用气泡击穿理论解释,此时分两种情况,一种是杂质小桥接通电极,一种是没有接通电极。 1、高电压测量技术P109高电压试验除了要有产生各种试验电压的高压设备,还必须要有能测量这些高电压的仪器和设备。 电力系统中,广泛应用电压互感器配上低电压表来测量高电压,但此法在试验室中用得很少。试验室条件下广泛应用高压静电电压表、峰值电压表、球隙测压器、高压分压器、高压脉冲示波器和新型冲击电压数字测量系统等仪器测量高电压。国标规定,高电压的测量误差一般应控制在±3%以内。现代高电压测量技术也向数字测量技术方向发展。(各种设备能测的电压类型没找到) 2、各高电压的产生原理 (1)工频高电压P93 采通常采用高压试验变压器或其串级装置来产生。对电缆、电容器等电容量较大的被试品,可采用串联谐振回路来获得试验用的工频高电压。高压试验变电器工作原理与电力变压器没有什么不同。 (2)直流高电压P97将工频高电压经高压整流器而变换成直流高电压。利用倍压整流原理制成的直流高压串级装置(或称串级直流高压发生器)能产生出更高的直流试验电压。 (3)冲击高电压P101单级冲击电压发生器:将能产生电压波前和电压波尾的回路结合起来组成回路,P102图5-17,常用回路P103图5-19 单级冲击电压发生器能产生的最高电压一般不超过200~300kV。 因而采用多级叠加的方法来产生波形和幅值都能满足需要的冲击高电压波。 3、各

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