【2017年整理】晶体生长的有关问题.docVIP

晶体生长的有关问题 关于退火与热应力及位错 向大家请教两个问题： 1、晶体硅在生长完成后，退火时间越长，热应力释 晶体位错：位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定属等晶体力学性质的基本因素，也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严重的影响。通过化学腐蚀可在晶体表面上观察到位错的露头处——腐蚀坑1、多晶硅在生长完成后，退火阶段：1375度下退火时间越长，热应力释放会越多，那么这样的后果导致产生的位错会越多吗？为什么？2、另外，位错密度越大，能说明热应力就越大吗？ HYPERLINK /search?word=%E4%BD%8D%E9%94%99%E5%AF%86%E5%BA%A6fr=qb_search_expie=utf8 \t _blank 位错密度越大，只能说明材料的畸变越大，而不能说 HYPERLINK /search?word=%E7%83%AD%E5%BA%94%E5%8A%9Bfr=qb_search_expie=utf8 \t _blank 热应力越大啊 1.多晶铸锭,硅晶体生长速度控制在多少时,位错最少? 主要收到热场保温效果以及 HYPERLINK /search?word=%E6%B8%A9%E5%BA%A6%E6%A2%AF%E5%BA%A6fr=qb_search_expie=utf8 \t _blank 温度梯度控制，正常情况下1.2--1.6 位错将促进杂质的沉积 位错应力场与杂质的相互作用, 使得杂质优先沿位错线沉积; 特别是在Si中溶解度小、扩散快的重金属杂质 (Cu、Fe、Au等), 更容易沉积在位错线上。这就将形成大量的深能级复合中心, 甚至引起导电通道。如果有一定量的C、O或N原子沉积在位错线上 (实际上是处于某种键合状态), 可以“钉”住位错, 使得位错不易滑移和攀移, 这将使Si片的强度大大提高。 晶体生长减少位错的方法有哪些? 延长凝固时间，这个就是有足够的时间去让原子按照 HYPERLINK /search?word=%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%BB%93%E6%9E%84fr=qb_search_expie=utf8 \t _blank 晶体结构去排列 剔出杂质，因为异质存在会使晶体存在固溶，间隙甚至位错，所以减少异质；对于金属间化合物，比如Al3Ni，你在去除杂质同时还要控制元素比例，因为同时还存在AlNi，Ni3Al，他们的存在会产生位错和晶界。.控制凝固的生长方向，方式，主要是控制温度分布，使得避免枝晶生长。 凝固速率的减缓推迟了成分过冷的产生，使得有效分凝系数Keff减小，硅锭的提纯效果会更好。不过也不是越慢越好。 铸锭工艺的优化 硅的结晶速度取决于其底部石墨块的降温速度，较好的结晶速度会产生稳定的分凝速度，保证杂质的均匀析出，是生长高效多晶硅块的必经之路。 通过对热场温度的优化以及晶粒的细化，使晶体在初期的成核得到控制，在结晶过程中具有稳定的结晶速度和过冷度，从而提高了硅晶体的少子寿命，降低了硅晶体的内部缺陷，提高了多晶硅电池效率。 调整热场结构，优化工艺1.由于不同的温度梯度会导致不同的晶向产生，如果需要做到降低成核缺陷，需要清楚100的成核机理，经过查询，大于186度的温度梯度差，才能满足形成100晶向的温度要求。2.通过改进工艺，调整热场结构，生长速度得以控制。改进后的多晶铸锭生长段配方后，晶体的生长速度更加趋于平稳，这样有利于杂质的均匀向上分凝。而与此同时保证界面的平稳性可以控制杂质的平稳析出。在控制界面水平则可以实现成核的一致性，及达到均匀晶粒的细化技术。对于整个生长过程，界面温度微凸是有利的，有利于杂质的向外排出，但太凸，会导致边缘16块受损严重。通过稳定热场，优化生长工艺，改进生长界面实现了降低缺陷密度，提高硅晶体少数载流子寿命的目的，最终达到了提高硅晶体电池效率的目标。 退火工艺 退火是一种 HYPERLINK /view/10955.htm \t _blank 金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低 HYPERLINK /view/34359.htm \t _blank 硬度，改善 HYPERLINK /view/650851.htm \t _blank 切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化 HYPERLINK /view/1263625.htm \t _blank 晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。 退火段一般在1370左右，此时铸锭仍在熔融状态，杂质仍然有分凝的过程，包括石墨件碳原子的游离等，此时氩气仍