【2017年整理】模拟电子技术 第五版 康光华.docVIP

第二章 运算放大器 二极管及其基本电路 半导体基本知识 3.1.1 半导体材料 硅是目前最常用的一种半导体材料。伏安特性（V－I）。 3.1.2 半导体共价键结构 半导体的导电性与价电子有关。 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体 半导体重要物理特性：电导率。电荷载流子浓度越高（本身性质、温度值、杂质的存在），其导电率越高。 本征激发：由于热激发而产生的自由电子，价电子移动后而留下的空穴。 空穴：空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 用虚拟空穴移动（实际电子移动）产生的电流代表束缚电子移动产生的电流。产生电流的根本原因是共价键中产生空穴。 空穴越多，半导体中的载流子数目越多，产生的电流越大。 空穴与电子总是成对出现的：。 载流子的产生与复合 温度一定，动态平衡。本征半导体的导电率将随温度的增加而增加。 3.1.4 杂质半导体：空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体 1 P型半导体 定义：在硅晶体内掺入少量三价杂质（硼）（受主杂质或P型杂质）。多子：空穴。少子：电子。 这是因为材料中的剩余电荷密度比为0。 或者说， 2 N型半导体 定义：在硅晶体内掺入少量三价杂质（硼）（受主杂质或P型杂质）。多子：空穴。少子：电子。 （离子化的施主原子和空穴的正电荷比为自由电子的负电荷平衡，以保持材料的电中性。） 由于电子与空穴的复合，在一定的温度下，使空穴浓度与电子的浓度乘积为一常数： 3.2 PN结的形成及特征 PN结 PN结 结 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移：由于电场作用而导致载流子的运动。 (电子) (电子) 3倍关系 扩散：载流子浓度差。 3.2.2 P 空间电荷区＝PN结＝耗尽区＝势垒区 内电场：，阻碍载流子扩散运动。 （平衡PN结） 3.2.3 PN结单向导电性 1. 单向导电性：PN结加正向电压时，电阻很小，PN结导通；加反向电压时，电阻很大，PN结截止。PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 4 双极结型三极管BJT及放大电路基础 4.1 BJT 4.1.1 BJT结构 4.1.2 放大状态下BJT工作原理（发射极加正向偏置电压，集电极加反向偏置电压） 4.1.3 BJT V-I特性曲线 4.1.4 BJT参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性影响 4.2 基本共射极放大电路 4.2.1 电路组成 4.2.2 基本共射极放大电路工作原理 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号分析方法 基本共射极放大电路分析过程 4.4 放大电路静态工作点的温度问题 4.4.1 温度对静态工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 静态分析 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 静态分析 共集电极放大电路特点 4.5.2 共基极放大电路 静态分析 4.6 组合放大电路 5 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 第六章 模拟集成电路 6.1 直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 第七章 反馈放大电路 第八章 功率放大器 第九章 信号处理与信号产生电路 9.1 滤波电路的基本概念及分类 9.5 正弦波振荡电路的振荡条件 9.6 RC正弦波振荡电路 9.8 非正弦信号产生电路 第十章 直流稳压电源 小功率整流滤波电路 [基础训练] 1．下列有关金属元素的特征叙述正确的是( ) A．金属元素的原子具有还原性，离子只有氧化性 D．金属元素的化合价一定显正价 C．金属元素在不同化合物中的化合价均不相同 D．金属元素的单质在常温下均为金属晶体 2．下列有关金属元素特征的叙述中正确的是 ( ) A．金属元素的原子只有还原性，离子只有氧化性 B．金属元素在化合物中一定显正价 C．金属元素在不同化合物中的化合价均不同 D．金属单质在常温下都是金属晶体 3．金属的下列性质中，不能用金属的电子气理论加以解释的是 ( ) A．易导电 B．易导热C．有延展性 D．易锈蚀 4．下列晶体中由原子直接构成的单质有 ( ) A．白磷 B．氦C．金刚石 D．金属镁 5．金属具有延展性的原因是( ) A．金属原子半径都较大，价电子较少 B．金属受外力作用变形时