微电子器件(4-6)讲解.ppt

* 4.6 MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 4.6.1 MOSFET 的小信号交流参数 1、跨导 gm 跨导 代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅源电压 VGS 对漏电流 ID 的控制能力，即反映了 MOSFET 的增益的大小。 非饱和区 饱和区 为了提高跨导 gms ，从器件角度，应提高 ，即增大 ，提高迁移率 ? ，减小 TOX 。从电路角度，应提高 VGS 。 以 VGS 作为参变量的 gm ~ VDS 特性曲线 2、漏源电导 gds gds 是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻 rds 的倒数。 非饱和区 当 VDS 很小时 饱和区 实际上，IDsat 随着 VDS 的增加而略微增大，使 ( gds )sat 略大于 0 。降低 ( gds )sat 的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。 以 VGS 为参变量的 gds ~ VDS 特性曲线 3、电压放大系数 ? 在非饱和区，对 ID 求全微分并令其为零， 饱和区 实际上，因有效沟道长度调制效应等