一、研究方法.pptVIP

一、研究方法 单电子近似： 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 能带论： 用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论。 金刚石的电子能量与原子间距的关系 A、正荷电：+q； B、有效质量mp*=-mn* C、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）； D、能量EP=-En E、波矢kp=-kn F、速度V(kp)=V(kn) (3)GaAs的能带结构 一、施主杂质 上述杂质的特点： 施主电离能 △ED Eg 受主电离能 △EA Eg 五、深能级杂质 产生的施主能级距离导带底较远； 产生的受主能级距离价带顶较远； 掺入金杂质，能够形成深能级杂质，起到复合中心的作用，对于开关器件，可以提高器件的速度。 (一）n-型非简并半导体中的载流子浓度 重要术语解释 本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。 本征载流子浓度ni：本征半导体内电子和空穴浓度相等。 非本征半导体：进行了定量的施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空