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第四章存储器
第 四 章
一、选择题
存取周期是指——
A存储器的写入时间B存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间 C存储器进行连续读或写操作所允许的最短间隔时间
2.和辅存相比,主存的特点是 。
A容量小,速度快,成本高B.容量小,速度快,成本低c.容量大,速度快,成本高
3.一个16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是
A*48 B.46 C. 36
4.一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是
A. 17 B. 19 C.27
5.某计算机字长是16位,它的存储容量是64KB,按字编址,它的寻址范围是
A.64K B.32KB C.32K
6.某计算机字长是16位,它的存储容量是1MB,按字编址,它的寻址范围是A.512K B. 1M C.512KB
7.某计算机字长是32位,它的存储容量是64KB.按字编址,它的寻址范围是
A. 16KB B. 16K C.32K
8.某计算机字长是32位,它的存储容量是256KB,按字编址,它的寻址范围是
A. 128K B.64K C.64KB
9.某一RAM芯片,其容量为512×8位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最少数目是
A.9 B.17 C.18
10.某一RAM芯片,其容量为32K x 8位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最少数是
A.25 B.40 C.23
11.某一RAM芯片,其容量为128K x16位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最少数目A. 33 B. 35 C.25
12.若主存每个存储单元为16位,则其地址线为
A 。16根 B.其地址线数与16无关 C.其地址线数与16有关
13.某存储器容量为32K x16位,则
A地址线为16根,数据线为32根B.地址线为32根,数据线为16根
C.地址线为15根,数据线为16根
14.下列叙述中 是正确的。
A.主存可由RAM和ROM组成B.主存只能由ROM组成C.主存只能由RAM组成
15*EPROM是指 。
A只读存储器B.可编程的只读存储器C.可擦洗可编程的只读存储器
16.可编程的只读存储
A.不一定是可改写的B.一定是可改写的C.一定是不可改写的
17.下述说法中——是正确的。
B.半导体RAM是易失性BAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的
C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉电时,所存信息是不易失的
18.下述说法中 是正确的。
A.EPROM是可改写的,因而也是随机存储器的一种
B.EPROM是可改写的,但它不能作为随机存储器
C.EPROM只能改写一次,故不能作为随机存储器
19.和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是
A集成度高,存取周期快,位平均功耗少B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大
C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
20.在磁盘和磁带两种磁表面存储器中,存取时间与存储单元的物理位置有关,按存储方式A二者都是串行存取B.磁盘是部分串行存取,磁带是串行存取
22.在磁表面存储器的记录方式中,
A.不归零制和归零制的记录密度是一样的不归零制B.归零制的记录方式中不需要同步信号,故记录密度比归零制高
C.不归零制记录方式由于磁头线圈中始终有电流,因此抗干扰性能好
23.磁盘存储器的等待时间通常是指 。
A.磁盘旋转一周所需的时间
B.磁盘旋转半周所需的时间C.磁盘旋转2/3周所需的时间
24.活动头磁盘存储器的寻道时间通常是指
A.最大寻道时间B.最大寻道时间和最小寻道时间的平均值
25.活动头磁盘存储中,信息写入或读出磁盘是A.并行方式 B.串行方式26.磁盘转速提高一倍,则
A.平均查找时间缩小一半B.其存取速度也提高一倍
C.不影响查找时间 进行的串并方式
27.相联存储器与传统存储器的主要区别是前者又叫按
A.地址 B.内容 C.堆栈
29.一个四体并行低位交叉存储器,每个模块的容量是64K x 32位,存取周期为200ns,在上述说法中——是正确的。
A在200ns内,存储器能向CPU提供256位二进制信息
B.在200ns内,存储器能向CPU提供128位二进制信息
C.在50ns内,每个模块能向CPU提供32位二进制信息
30.采用四体并行低位交叉存储器,设每个体的存储容量为32K x16位,存取周期为400ns,在下述说法中——是正确的。
A在0.1 ns 内,存储器可向CPU提供2位二进制信息
B.在0.1 ns 内,每个体可向CPU提供16位二进制信息
C.在0.45 ns内,存储器可向CPU提供2‘位二进制信息
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