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第二章 双极型半导体器件 2.1 pn 结及其电流—电压特性 2.1.1 平衡 pn 结 一、平衡 pn 结及其能带结构 空间电荷区 pn 结：两块掺杂浓度均匀的 n 型 及 p 型半导体 紧密结合形成右图所示结构，称之为 pn 结。 空间电荷：在 pn 结界面附近形成的电离施主和 电离受主所带电荷称为空间电荷。 内（自）建电场：空间电荷区中产生的，从 n 区指向 p 区的电场称为内(自)建电场。 热平衡 pn 结：在无外加偏压情况，pn 结界面附近载流 子的扩散和漂移运动达到平衡时称为热平 衡 pn 结。 [ 过程表示 ] 扩散运动 空间电荷区 内建电场 漂移运动 热平衡 pn 结 特征：内建电场一定，空间电荷数量和区域宽度一定。 2. 能带结构 pn 结未形成前情况 特征：没有统一费米能级 由于： 结果：电子从 n 区向 p区扩散。 pn 结形成后情况 特征：热平衡时存在统一费米能级 （扩散、偏移两种运动达至动态平衡） 结果：能带弯曲形成势垒，势垒高度为 ，单位为 eV pn 结接触电势（内建电势） （2 -1） 注意：本征费米能级 ，与半导体掺杂浓度无 关，故 n 型及 p 型本征费米能级 及 总是位 于禁带中央，且 弯曲情况与 和 相同。 二、平衡 pn 结接触电势 在热平衡 pn 结的 n 区和 p 区中，由式（1- 15），有： 联立两式，易得： 室温下： 则： （2 -2） 同理：由式（1- 16），室温下也可得到： （2 -3） 三、平衡 pn 结中的载流子分布 考虑平衡 pn 结中任一点 ，对 电子浓度来说，由式（1- 15），有： 也即： 注意，这里 。可见随着 与 距离增大， 差值 也不断增大，故 呈现指数衰减。 边界条件： 即： （2- 5） 对空穴浓度来说，同理，注意到 ，由 式（1- 16）可得： （2- 6） 可见， 随 与 距离增大而呈指数衰减。 边界条件： 即： （2- 7） 2.1.2 非平衡 pn 结 一、 非平衡 pn 结及其能带结构 （1）正偏 （ ） 打破平衡 扩散流 漂移流 非平衡载流子互相注入 （2）反偏 ： 打破平衡 漂移流 扩散流 非平衡少数载流子互相抽取 二、 非平衡 pn 结中载流子分布和电流分布 （1）正偏 注意：少子扩散流占各区主导地位，势垒区电流为恒量。 （2）反偏 注意：少子反向扩散流占各区主导地位。 2.1.3 pn结的伏安特性 一、理想 pn 结模型 符合下述条件称为理想 pn 结模型： 小注入条件； 2. 耗尽层中不存在载流子产生和复合： 电子、空穴电流为常量； 3. 突变耗尽层条件： 耗尽层电荷完全由电离施主和