单片机过程性考试试题库.docVIP

一．单项选择题（从以下四个选项中选出一个正确答案，多选，错选不给分）。 1．MCS-52子系列与MCS-51子系列相比，下列说法错误的是( ) A.片内ROM从4KB增加到8KB B.片内RAM从128位增加到256位 C.定时/计数器从2个增加到3个 D.中断源从5个增加到6个 2．若PSW.4=0，PSW.3=1，现在需要保存R1的内容，可执行( )指令。 A.PUSH R1 B.PUSH @R1 C.PUSH 01H D.PUSH 09H 3.下列指令不是变址寻址方式的是( ) A.JMP @A+DPTR B.MOVC A，@A+PC C.MOVX A，@DPTR D.MOVC A，@A+DPTR 4.MCS-51单片机有片内ROM容量( ) A. 4KB B. 8KB C. 128B D. 256B 5．MCS-51单片机的位寻址区位于内部RAM的( )单元。 A. 00H—7FH B. 20H—7FH C. 00H—1FH D. 20H—2FH 6.MCS-51单片机的串行中断入口地址为( ) A. 0003H B. 0013H C. 0023H D. 0033H 7.MCS-51单片机的最小时序定时单位是( ) A. 状态 B. 拍节 C. 机器周期 D. 指令周期 8.若MCS-51单片机采用6MHz的晶振，其复位高电平脉冲时间应该超过( )。 A. 2 B. 4 C. 2mS D. 4mS 9.程序状态字PSW的( )位为1时，表示带符号数加减运算中，累加器A产生了溢出。 A. CY B. ACC C. OV D. P 10.MCS-51单片机的RS1,RS0=11时，当前寄存器R0—R7占用内部RAM( )单元。 A. 00H—07H B. 08H—0FH C. 10H—17H D. 18H—1FH 11.MCS-51单片机有片内RAM容量( )。 A. 4KB B. 8KB C. 128B D. 256B 12.MCS-51单片机的外部中断0中断入口地址为( )。 A. 0003H B. 000BH C. 0013H D. 001BH 13.MCS-51单片机的最大时序定时单位是( )。 A.拍节 B.状态 C.机器周期 D.指令周期 14.MCS-51单片机的定时器/计数器工作方式1是（ ）。 A.8位计数器结构 B.16位计数器结构 C.13位计数器结构 D.2个8位计数器结构 15.MCS-51单片机在访问外部数据存储器时，其地址指针可采用（ ）。 A.DPTR B.PC C.PSW D.SP 16.MCS-51单片机在正常运行程序时RST/VPD引脚应为（ ）。 A.高电平 B.低电平 C.脉冲输入 D.高阻态 17.8051单片机有（ ）中断源。 A.3个 B.4个 C.5个 D.6个 18.要用传送指令访问MCS-51程序存储器，它的指令操作码助记符应是（ ） A.PUSH B.MOV C.MOVX D.MOVC 19.中央处理器是由（ ）构成。 A. 运算器、存储器 B. 运算器、控制器 C. 运算器和I/O接口 D. 运算器、控制器、存储器和I/O接口 20.下列关于RST引脚作用的正确说法是（ ） A. 当该引脚输入的信号延续4周期以上的高电平时，完成单片机复位操作 B.