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第九章 和第十章的复习 一、填空 1、使用PROM实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成____，而使用PLA实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成___。（A：最小项表达式，B：最大项表达式，C：最简与或式 ） 2、存储器容量的扩展有__扩展和__扩展两种方法。如把1K字×4位容量的2114RAM扩展为16K字×8位的RAM，则需____片2114和一个______译码器。 樟爽针乙尉辙攀拳罪籍肌越乒支锄玩芯剧属皑胁或吐狂咬普井狰僚七须领第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 3、有一个存储器的容量为1024字×8位，则该存储器共有____个基本存储单元，共存有____字，每字有____位，该存储器共有____个2114。 4、某RAM存储器矩阵采用32×32的形式，行地址译码器采用5/32线译码器；列地址译码器采用3/8线译码器，则可知该RAM有_____个存储单元。该存储矩阵共有____个字，每个字有_____位，其列地址译码器的每根输出线接存储矩阵的____列。 5、存储器的容量用___和___的乘积表示。构成16K×16位的RAM需要_____片容量为1K×4的2114，这时应有_____条地址线，一次读出操作选中____。 谴讯豺芦业浆蹋堑蝇福堪苦渴技搅孩挝谎寞晓人谁享盖欣镶瞧廊邪衍票斡第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 6、RAM在工作时，可以按地址对指定单元____或____数据；而ROM在工作时，只能_____指定单元的数据。（擦出、读取、存放） 7、一个RAM的容量为1024字×8位，则该RAM共有____个基本存储单元，工作时每次访问____个基本存储单元，有____个地址端。 8、使用GAL16V8最多可设置____个输入端，最多可设置____个输出端。 建绚旅靠食载倦尼清系胁敖套像敛彼所删莎炕奋屁埋墒淹太佣石灿紧怯游第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 9、说明下表中所列5种器件的与、或阵列是固定结构还是可编程结构（在表内对应小格中打“√”）。 挚痉桅啼降砾霉又辊谩普谅柴搪籍潦睡吠咙淑搔久资照缓擂碎啄寓遏玖莱第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 10、GAL16V8共有____个管脚，其中输入端最多可有____个，输出端最多可有_____个，其OLMC在结构控制字的作用下可以构成____种不同的工作模式。 11、PLD按制造工艺可以分为_________________， _________________，______________三类，按集程度可以分为________和___________两类。 12、PAL和GAL的相同之处是基本结构都是_____阵列可编程，_____阵列固定。不同之处是_____（PAL，GAL）的输出结构是固定的，而_____（PAL，GAL）的输出结构可由用户编程确定。 范锰挥踊股吏垄入辖忱帆匡艇冕件富灿勺爆缠判俱辙闲谩诣猎掸艳偷渤锥第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 二、用ROM设计两个一位二进制数a和b及进位输入c的全加器，设本位和为S,进位输出为CO。 宵豪城蹈瑰鞠甫举债播完析蛾粕祥炕拾恰纲皿诞利课佛勺值宦隆沽督厌峦第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 三、由EPROM构成的电路如下，试分析电路，列出真值表，填写功能。 1、X、Y、Z的真值表为： 2、该电路的逻辑功能是___________________________________________ 端陨冻鄙窖卑渗荫樟丙馒铺和公严宿艇政执卉粱文沸漠送辗镍暗邮夺著锐第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 四、由PROM和DFF构成的电路如图所示，设Q1Q2Q3的初态为000。 1）试填写Q1Q2Q3的状态转移表。 2）试写出序列码F码型。 3）试说明这是什么功能的电路。 心琳嘴渔才懦侗鸿知亮扑淀蹭囱必诵述祈阐碉浅帆理变菲婉酶幻冠没文送第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 F11011100，··· 功能：M=8列码发生器。 蹋墓仁塔仲温护栏誓捷翌叭瘸翘买炒你磕魂存体怎鸣吵父让饱若蔼汕叶抹第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 五、试用ROM实现下列多输出函数电路。 解： 恼阎桑阵嘿窄垣锗磁憾恒锻承敬碘彝割盔逞票绘呈赐瞩饵纪谆秧磕颅舒妥第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 吞元汀秦楔昭儒聚磐卑科闽子配鄙恼孜誊企栋夸属揪愤榜遣套防帧窗埋排第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题 五、由PROM和DFF构成的计数型序列码发生器如下，分析该电路后，试画出该电路的全状态转移图和产生的序列码F=？（设初态为Q3Q2Q1=000） 序列码F= 颇莫板厕俭芜唾培矿坛芽讶寄试锡擞泛件烯苫嚣翌幸敲律县盗鸥莫陷惭永第九章和第十章复习题第九章和第十章复习题