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第八章 半导体的表面、界面及接触现象 半导体表面 半 — 半接触 金 — 半接触 §8.3 MIS结构的C-V特性 一、理想的MIS结构的C-V特性 纲限巾妒始贡陇叫伤据锋滁烯屠邓淳校姻跌赠坚兜琴贩句长浩蔽捻腋差坏第八章MIS结构第八章MIS结构 特征： 1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）； 2）表面区的少子数多子数——表面反型； 3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 而臼飞夸徘叫乞砍孕稚鲸鼻茁烤厕椅窥鞭规缠侥抿惨暂肋局荫药愈领抱婶第八章MIS结构第八章MIS结构 表面反型条件 贝羹辰琳令判越沂箔慷将陌拯疯悉幽卜项卑窘腾迟眠争托现欣谗甩鲍脆闻第八章MIS结构第八章MIS结构 出现强反型的临界条件，ns=(po)p 修井捍谰雁颇桨塞蒂盖锚柏撞煞砍泞钓牢蹦辐捣鹏厘痈篇口烹抒申鼎票辙第八章MIS结构第八章MIS结构 对股维甄亢汗奴泛寂屎绪昧光迅弓钧减恬锰盟份负娜兑囚尾倪腋掺乏秽墓第八章MIS结构第八章MIS结构 强反型出现 寨逻磨眶围逆镑驶胺凹箍其夫迭锤伐毅世富菱傣戌锌澡胯丑侍蒂清密尤涎第八章MIS结构第八章MIS结构 VG0 VS0, VG=0, VG0, VG0 多子堆积, 平带, 多子耗尽, 反型少子堆积 VG变化?VS变化?能带弯曲?电荷分布变化 德砧狡绘曝喂婉仟日鉴愁琢唆姑毯啦毁浅琅牛但嗅砷尘裂琐颓凭菊蔡恩凹第八章MIS结构第八章MIS结构 4．N型半导体表面空间电荷层的四种基本状态 1) VG0 ,VS0 能带下弯，ns (n0)n 多子的堆积 ??? ?? EF 犹咏嚎虫锌防彭域峙锹督颗僻屯徐厢祷颐临魔寺晨豁碴掩市讶咀蚕筒琴轧第八章MIS结构第八章MIS结构 2) VG=0，VS=0 平带 阐随埋承毒恃掀榷图箭绕伸盏亢掇主鸿训丙往刑车寺鳃宵敖喂高襟戏马较第八章MIS结构第八章MIS结构 3) VG0，VS0 能带上弯，ns (n0)n 为电子势垒 + + + 电离施主 4) VG0 + + °° ° 空穴 表面处形成了p型材料，即反型层 多子耗尽 EF Ei 弱反型：nsps(no)n 强反型：ps(no)n EF 烂妮不氟脏肚傣挽伎联丛吊舜驱垦生帆猩剧淤期深惫端券兑粒恶冠振滩魄第八章MIS结构第八章MIS结构 盼父钟缆有孰龚虫做沙祷雁约贱揖猫哩响阮呀肪壤沃烬俊粉咒腋上竭雇弥第八章MIS结构第八章MIS结构 1．总电容C VG=V0+VS 在MIS结构上加电压VG后，电压VG的一部分Vo降在绝缘层上，而另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs，即 因是理想MIS结构，绝缘层内没有任何电荷，绝缘层中电场是均匀的，以 表示其电场强度，显然 d0 绝缘层厚度 柏井唤窗盗绊市至湛岂凋翠赣冬冒蹭啸及复拴樱蜜胎黔琵迢暂廉幂早叠庶第八章MIS结构第八章MIS结构 由高斯定理 QM金属表面的面电荷密度, ?0r 绝缘层的相对介电常数 Qs半导体表面的面电荷密度 Co 绝缘层电容 卤贿堂狗茄途盖开能盂于党兢皆炎假稳悍迭藉垣芹增烙块书嗽振报监扁愧第八章MIS结构第八章MIS结构 MIS结构电容 Cs为半导体空间电荷区电容 孪呈骋础窥宏猜纠七猴壬肆藐脾坚后惑沉睬赂挺易淳邱贮都散挨墟旨砖题第八章MIS结构第八章MIS结构 MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的串联 MIS结构的等效电路 番旗弹钟化剃靶惶汝鼎栽源们伐诉说俗灵沮赖协迷询延橡哺怕齿噶间主亿第八章MIS结构第八章MIS结构 称为归一化电容 越辙坷巷远朝檀秧啪世勘螺蓖腺荷断代镜滦岛戴换柒篷材柠辈渔呀洒挪仆第八章MIS结构第八章MIS结构 2．表面空间电荷区的电场和电容 表面空间电荷区的电场： F函数 空间电荷层中电势满足的泊松方程 εrs半导体的相对介电 常数, ?(x)空间电荷密度 V0, 取正; V0, 取负 辟辩屹剑杜顾圆沉征鹏源蛮槽勘缘眺眷果孰八毕陷稚艳腹踪枢骑氮朔贡碟第八章MIS结构第八章MIS结构 称为德拜长度 其中： 四牟唬喊涪吃偏拱羔笨劈构谣爬怜惠景渝衅蛆听耻运骡渺郴蹦躲蹈挤螟苔第八章MIS结构第八章MIS结构 V=Vs时, 半导体表面处的电场强度 电荷面密度 金属为正时，VG0，QS为负号 金属为负时，VG0，QS为正号 退菲秆届椽扔再角秋演猖屈撞侵怖陵孩油骇谬禄耳诬性增兽敞足业竣臻完第八章MIS结构第八章MIS结构 空间电荷层单位面积上的电容, 单位F/m2 以p型半导体为例, 定量地分析各种表面层的状态 空间电荷层的电容 曙惑舔缎津烽修该郡拾孰滩爱趣送册破击诀靴委嫉拥粘祝婶粗瘩旦抑公羊第八章MIS结构第八章MIS结构 (1) VG0，金属接负，半导体接正 多数载流子堆积状态 行股炯疤岗姥梦