【2017年整理】溶液法制硫化镉薄膜.docVIP

[CdS薄膜及其制备] 邢凯健PAGE PAGE 3 上海大学2012～2013学年春季学期 材料科学导论C课程论文 课程名称： 材料科学导论C 课程编号： 论文题目： CdS薄膜及其制备 姓 名: 邢凯健 学 号: 论文评语： 论文成绩： 任课教师： 评阅日期： CdS薄膜及其制备 摘要: CdS薄膜在异质结太阳能电池中是十分重要的n型窗口材料,它的制备可以通过真空镀膜,分子束外延,磁控溅射及化学沉积的方法来实现,而化学沉积方法中,最为常用的就是水浴法是十分重要的。 关键词： CdS薄膜 化学水浴法 反应速率 一、CdS的基本性质 CdS薄膜的禁带宽度为2.42eV，能透过绝大部分阳光，是十分优秀的窗口材料，其薄膜质量的好坏会直接影响在此基础上制备的吸收层CdTe薄膜质量的好坏，对电池的效率和寿命是十分重要的。因此如何制备出高质量的CdS薄膜成为了一个十分关键的课题。 二、水浴法制备CdS薄膜 如今有许多物理方法可以去制备CdS薄膜，例如真空镀膜法、磁控溅射法等等，这些物理方法制备的CdS薄膜的厚度均匀，测试的结果也十分理想，那么我们为什么还要使用化学方法去制备CdS薄膜呢？其中最为重要的因素就是化学方法，例如水浴法，所需要的成本十分低廉，特别是与前面所提到的几种物理方法相比，前期所投出的经费是微乎其微。并且后期也不会遇到仪器维修等问题。 但是水浴法制备CdS薄膜的质量从许多文献中可以发现，并不是非常的理想，生长所得到的薄膜的厚度不均匀，并且会有气孔、裂纹等等。这是因为化学方法制备CdS薄膜的不可控因素太多（例如当天的湿度，温度，所使用的仪器，药品的纯度及实验误差等等）。那么我就在上海大学电子楼对于该CdS薄膜的生长作了一定的研究，也得出了一些结论。 2.1 实验原理 CdS的溶度积很小,所以如果让镉离子和硫离子直接反应的话十分容易生成沉淀。这样膜厚和膜的均匀性就很难控制。如果让硫以络合物的形式存在，就会减缓反应速率，所以反应方式如下： （1）氨水溶于水后产生OH-： NH3+H2O NH4++OH- (1.1) （2）在碱性环境里面，醋酸镉提供Cd2+： Cd(Ac)2→Cd2++2Ac- (1.2) （3）未水解的氨和Cd离子络合，形成四氨合镉离子正式它起到缓慢释放Cd2+的作用： Cd2++4NH3 Cd(NH3)42+ (1.3) （4）当醋酸铵、氨水、醋酸镉混合以后，对于异质反应，本质上是一种表面吸附-成核过程。当Cd2+、OH-生成Cd(OH)2吸附在衬底表面。 Cd2++2OH-→Cd(OH)2↓ (1.4) （5）当溶液加入硫脲以后，[SC(NH2)2]与OH-反应分两步释放S2-。释放的S2-再与Cd2+结合在衬底和容器壁上生成CdS。 [SC(NH2)2]+OH-→CH2N2+H2O+HS- (1.5) HS-+OH-→S2-+H2O (1.6) Cd(NH3)42++S2-→CdS+4NH3 (1.7) 2.2 实验仪器 图1 实验装置 2.3 实验数据 编号 温度（摄氏度） 醋酸氨（ml） 氨水（ml） 硫脲（ml） 1 80 2 3 1 2 50 2 3 1 3 65 2 3 1 4 65 2 3 1 5 65 2 3 1 6 65 3 3 1 7 65 3 3 1 8 65 2 3.5 1 9 65 2 3.25 1 10 65 2 3 1 11 65 2 2.75 1 12 65 2 3 1 注：加粗数据为理论标准值 图2 不同条件下生长的CdS薄膜 上述为几组生长的不错的薄膜表面晶相图。可以发现，在于理论计算的实验数据相近的条件的下生长的薄膜质量都比较高。 2.4 实验结论 不难发现，再经过许多次的试验后，CdS薄膜的质量有可比较明显的提高。主要体现在薄膜的厚度，薄膜的均匀性以及薄膜的粘附性。个