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硅的晶体结构和硅单晶体制备 桂林电子科技大学职业技术学院 硅的晶体结构 硅是自然界蕴含最丰富元素之一，约占地壳重量25%，丰富程度仅次于氧； 硅是电子工业中最重要的半导体材料，以硅土和硅酸盐等化合物状态存在； 自然界中的固态物质以晶体或非晶体形式存在； 晶体和非晶体在内部结构、物理性质、化学性质上存在明显差别；任一晶体都是由原子在三维空间按一定规则周期性排列而成； 非晶体是指组成物质的分子（或原子、离子）不呈空间有规则周期性排列的固体。非晶体没有一定的规则外形，如玻璃、松香、石蜡等。其物理性质在各个方向上是相同的，称“各向同性”；没有固定的熔点。有人把非晶体叫做“过冷液体”或“流动性很小的液体”。 硅的晶体结构 硅的晶体结构 晶体在不同方向上物理性质不同的现象——各向异性。 非晶体各个方向物理性质是相同的。 晶体在固液转变过程中，固液共存状 态下，保持一定温度不变，此温度称 为熔点或凝固点；但非晶体没有固定 的熔点，非晶体通常又称为玻璃态物 质，熔化过程是固态逐步软化形成的。 凝固状态取决于加工条件。 硅的晶体结构 单晶体——内部所有原子均按统一周期排列的晶体； 多晶体——由许多小晶体颗粒无规则堆积而成的晶体； 集成电路制造所用硅材料（硅晶圆片）就是硅单晶体； 硅的晶体结构 晶列、晶面与晶向 晶格中的原子可看成是在一系列方向相同的 平行直线上，该直线称为晶列。通常晶列所指方向即为晶向。晶格中一些原子构成的平面称为晶面。 Si原子 正四面体结构单元 硅晶体结构示意图 硅晶体结构由同一种化学元素组成，且面心结构上每个 原子都与周围四个原子相邻，四个原子的取向方位，对 同一套面心立方上的原子是相同的，对不同套面心立方 是不同的。 硅晶体结构 硅晶体结构虽然排列有规则，但内部还存在相当大的空隙，某些半径较小的原子能比较容易在晶格内运动。 晶体中原子在不同方向上的排列是不同的—疏密不同 当某个晶向上原子之间间距最小原子排的最密，该晶面称为密排方向。原子排列最紧密的面称为密排面。 晶体密排面 密排面特点： 1、原子排列最紧密，相邻原子间距小； 2、相邻密排面晶面之间的距离最大； 晶体最容易从密排面之间断开——解理面 硅晶体中的缺陷和杂质 集成电路制作过程中，选择单晶为基本材料——无位错材料 晶体缺陷种类： 点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 点缺陷 晶体点缺陷主要包括间隙原子、空位、肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷和外来原子等。 点缺陷 产生点缺陷的影响因素： 热振动和辐射——能量 称间隙原子和空位为热缺陷 线缺陷 硅单晶拉制过程中，由于设备振动以及结晶表面温差，会产生机械应力，导致单晶体中原子周期性排列发生混乱，易于造成缺陷。 主要表现形式：位错—刃位错和螺位错 晶体中的位错可认为是由滑移所形成的，滑移后两部分晶体重新吻合。滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分交界处形成位错。滑移量大小可用滑移矢量来描述。 当位错线与滑移矢量垂直时，称为刃位错； 当位错线与滑移矢量平行时，则称为螺位错。 位错示意图 刃位错 螺位错 滑移与攀移 滑移 攀移 面缺陷或体缺陷 晶体缺陷引起晶格局部弹性变形称晶格畸变。 点缺陷引起的三种晶格畸变 杂质粒子缺陷 空位缺陷 间隙粒子缺陷 晶体缺陷对晶体的影响 硅中杂质 * * * *