石墨烯的制备方法概述.docVIP

石墨烯的制备方法概述, 近年来在化学、物理和材料学界引起了广泛的研究兴趣，并且在石墨烯的制备上已取得了不少的进展。本文就物理方法和化学方法两方面概述了石墨烯的制备方法, 比较了各种方法的优缺点，并对它的未来发展做了展望。 关键词 石墨烯；制备方法 因诺贝尔奖而骤然走进大众视野的石墨烯，是人类已知强度最高的物质。石墨烯是单原子层的石墨薄膜，其晶格是由碳原子构成的二维蜂窝结构。该材料具有许多新奇的物理特性，它是目前已知在常温下导电性能最好的材料，电子在其中的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了一般导体。此外，还可用石墨烯制造复合材料、电池/超级电容、储氢材料、场发射材料、超灵敏传感器等。 目前石墨烯的制备方法有很多主要分为物理方法和化学方法两大类来讨论。 1 物理法制备石墨烯 物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料通过机械剥离法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯法原料易得, 操作相对简单合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少。 1.1机械剥离法 机械剥离法或微机械剥离法是最简单的一种方法即直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剥离下来。Novoselovt 等[1]于2004年用一种极为简单的微机械剥离法成功地从高定向热解石墨上剥离并观测到单层石墨烯验证了单层石墨烯独立存在。具体工艺如下：首先利用氧等离子在1 mm厚的高定向热解石墨表面进行离子刻蚀，当在表面刻蚀出宽20 μm2 mm、深5 μm的微槽后用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯捞出。 但方法缺点所获得的产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，因此不能满足工业化需求。 1.2取向附生法—晶膜生长 Peter W.Sutter 等使用稀有金属钌利用基质的原子结构种出石墨烯首先在 1150 °C下原渗入钌，然后冷却850 °C，之前吸收的大量碳原子就会浮到钌表面，整个基质表面镜片形状的单层碳原子孤岛，孤岛最终长成一层完整的石墨烯。第一层覆盖80 %后，第二层开始生长底层的石墨烯与强烈的交互作用，第二层后就与几乎完全分离，只剩下弱电耦合，单层石墨烯薄片。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的黏合会影响石墨烯的特性。 液相气相直接剥离法 (EG)(一般通过快速升温至1000 °C以上把表面含氧基团除去来获取)加在某种有机溶剂或水中，借助超声波、加热或气流的作用制备一定浓度的单层或多层石墨烯溶液。Coleman 等[3]参照液相剥离碳纳米管的方式将石墨分散在N-甲基-吡咯烷酮 (NMP) 中，超声1h 后单层石墨烯的产率为1%，而长时间的超声(462 h)可使石墨烯浓度高达1.2 mg/mL。研究表明，当溶剂与石墨烯的表面能相匹配时，溶剂与石墨烯之间的相互作用可以平衡剥离石墨烯所需的能量，能够较好地剥离石墨烯的溶剂表面张力范围为40~50mJ/m2。利用气流的冲击作用能够提高剥离石墨片层的效率。Janowska 等[4]以膨胀石墨为原料，微波辐照下发现以氨水做溶剂能提高石墨烯的总产率(~8%)。深入研究证实高温下溶剂分解产生的氨气能渗入石墨片层中， 当气压超过一定数值至足以克服石墨片层间的范德华力时就能使石墨剥离。 因以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，制备过程不涉及化学变化，液相或气相直接剥离法制备石墨烯具有成本低、操作简单、产品质量高等优点，但也存在单层石墨烯产率不高、片层团聚严重、需进一步脱去稳定剂等缺陷。 2 化学法制备石墨烯 目前实验室用石墨烯主要通过化学方法来制备，该法最早以苯环或其它芳香体系为核，通过多步偶联反应使苯环或大芳香环上6个C均被取代，循环往复，使芳香体系变大，得到一定尺寸的平面结构的石墨烯。在此基础上人们不断加以改进，使得氧化石墨还原法 2.1 化学气相沉积法 化学气相沉积法的原理是将一种或多种气态物质导入到一个反应腔内发生化学反应，生成一种新的材料沉积在衬底表面。它是目前应用最广泛的一种大规模工业化制备半导体薄膜材料的技术。 Srivastava等[]采用微波增强化学气相沉积法在包裹有Ni的Si衬底上生长出来20 nm左右厚度的状的石墨片，并研究了微波功率大小对石墨片形貌的影响。获得比的石墨片，Ni 元素。 Kim在Si衬底上添加一层厚300 nm的Ni然后在1000 °C的中加热这一物质，再将它迅速降至室温。这一过程能够在Ni层的上部沉积出610层石墨烯。(~3700 cm2 /(V·s))，并且具有室温半整数量子Hall 效应。用制作Ni层图形的方式，能够制备出图形化的石墨烯薄膜这些薄膜保证质量同时转移到柔性衬底上。这种转移可通过两种方法实现：一是把Ni用溶