2014-2015《华南农业大学半导体物理期末考试试卷》A.doc

华南农业大学期末考试试卷（A卷） 2014-2015学年第 二 学期　 考试科目：　半导体物理 　 考试类型：（开卷）考试　　　 考试时间：　120 分钟 学号 姓名 年级专业 题号 一 二 三 四 总分 得分 评阅人 得分 一、选择题（本大题共 10 小题，每小题 1 分，共 10 分） 1. 关于有效质量，下面说法错误的是（ ） A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用 B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小 C. 有效质量可正可负 D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。 2．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ ） A. 本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处 B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 D. 本征半导体的电中性条件是qn0=qp0 3．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的是（ ） A. B. C. D. 4．下面pn结中不属于突变结的是（ ） AB.高表面浓度的浅扩散p+n结 C.高表面浓度的浅扩散n+p结 D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn结，下列说法中不正确的是（ ） A. pn结是结型半导体器件的心脏。 B. pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。 C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。 D.所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结。 6. 下面材料中不属于第三代半导体材料的是（ ） A. Si B. ZnO C. GaN D. SiC 7.关于空穴，下列说法不正确的是（ ） A. 空穴带正电荷 B．空穴具有正的有效质量 C．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D．半导体中电子空穴共同参与导电 8. 关于公式，下列说法正确的是（ ） A.此公式仅适用于本征半导体材料 B. 此公式仅适用于杂质半导体材料 C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料 D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用 9. 对于小注入下的N型半导体材料，下列说法中不正确的是（ ） A. B. C. D. 10. 对于突变结中势垒区宽度，下面说法中错误的是（ ） A. p+n结中 B. n+p结中 C. 与势垒区上总电压成正比 D. 与势垒区上总电压的平方根成正比 得分 二、填空题：写出下表中各符号或缩写在本课程中所代表的物理量或名词的含义 （本大题共 20 空，每空 1 分，共 20 分） 符号 物理量 符号 物理量 符号 物理量 Nc LED IC FET MOS MIS CCD MBE CVD GMR QHE SOI 得分 三、简答题（本题共 10 小题，每小题 5 分，共 50 分） 1. 什么是摩尔定律？ 2. pn结热平衡时势垒高度的大小与中性p区和n区的费米能级的关系是什么？平衡pn结能带最主要的两个性质是什么？ 3. 图1是非平衡N型半导体准费米能级偏离平衡费米能级的示意图。其中A、E分别表示导带底和价带顶。问B、C、D哪个表示平衡费米能级？哪个表示电子的准费米能级？哪个表示空穴的准费米能级？ 图1 4. 如果一个费米子的反粒子就是其自身，则这种费米子叫马约拉那费米子。问空穴是否可能是电子的马约拉那费米子？为什么？ 5. 图2是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。请指出强电离区、高温本征激发区的位置（即温度范围，用a、b、c表示）。一般而言，实际器件工作在那个区域？ 图2 6. 回答下列问题 （1）AlGaAs和GaAs形成的量子阱结构中阱材料是那个？ （2）AlGaAs和GaAs形成第几类异质结？ （3）设GaAs为P型半导体，如果AlGaAs和GaAs形成的异质结为反型异质结，则AlGaAs掺杂类型是什么？ （4）如何调整AlGaAs的禁带宽度？ 7. 简要说明什么是霍尔效应？同金属相比，半导体中的霍尔效应为什么容易测到？ 8. 自旋向上和自旋向下的电子对何种场反