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高电压技术实验教学.ppt

高电压技术实验教学 高压教研室 实验一 绝缘电阻和泄漏电流的测量 测量绝缘电阻与吸收比的工作原理 测量绝缘电阻与吸收比的方法 泄漏电流的测量 1.测量绝缘电阻与吸收比的工作原理 双层介质模型的电流-时间特性 在工程应用上,把介质处在吸收过程时的U/i也称为绝缘电阻R 定义吸收比K: 加压60秒时的绝缘电阻与15秒时绝缘绝缘电阻之比值 定义极化指数P: 为加压10分钟时的绝缘电阻与1分钟时电阻之比值 绝缘状态的判定: 若绝缘内部有集中性导电通道,或绝缘严重受潮,则电阻R1 、R2会显著降低,泄漏电流大大增加,时间常数τ大为减小,吸收电流迅速衰减。即使绝缘部分受潮,只要R1与R2中的一个数值降低,τ值也会大为减小,吸收电流仍会迅速衰减,仍可造成吸收比K(及极化指数P,下同)的下降。当K=1或接近于1,则设备基本丧失绝缘能力。 2.测量绝缘电阻与吸收比的方法 测量仪表:兆欧表 摇表:带有手摇直流发电机的兆欧表,俗称摇表 晶体管兆欧表:采用电池供电,晶体管振荡器产生交变电压,经变压器升压及倍压整流后输出直流电压 兆欧表的电压:500、1000、2500、5000V等 兆欧表选择:根据设备电压等级的不同,选用不同电压的兆欧表。例:额定电压1kV及以下者使用1000V兆欧表;1kV以上者使用2500V兆欧表 例:用兆欧表测量电缆绝缘电阻 测量绝缘电阻能发现的缺陷: 总体绝缘质量欠佳 绝缘受潮 两极间有贯穿性的导电通道 绝缘表面情况不良 测量绝缘电阻不能发现的缺陷: 绝缘中的局部缺陷 绝缘的老化 测量绝缘电阻注意事项: 试验前后将试品接地放电 高压测试连线架空 测吸收比和极化指数时,应待电源电压稳定后再接入试品 防止试品向兆欧表反向放电 绕组的影响 绝缘电阻与温度的关系 3.泄漏电流的测量 微安表直读法(两种接法) 直流电源的要求: 输出电压(幅值、极性) 输出电流 电源保护(保护电阻,放电管、并联电容、旁路开关) 注意事项: 与测绝缘电阻相同 电压保持时间1分钟(待电容电流和吸收电流充分衰减),泄漏电流稳定 试验特点: 所加直流电压较高,可以发现一些兆欧表不能发现的缺陷 直流电压逐渐升高,可观察电流与电压关系的线性度 线性刻度,能精确读取 实验二 介质损耗角正切的测量 西林电桥的基本原理 存在外界电磁场干扰时的测量 测试功效 注意事项 测试无线电材料:常采用高频施压法,所加的电压不高 电工界:最常用的是西林电桥法 在线监测:采用微机对tgδ进行测量 1.西林电桥的基本原理 西林电桥: 高压臂:代表试品的Z1;无损耗的标准电容CN,它以阻抗Z2作为代表。 低压臂:处在桥箱体内的可调无感电阻R3,以Z3来代表;无感电阻R4和可调电容C4的并联,以Z4来代表 保护:放电管P 电桥平衡:检流计G检零 屏蔽:消除杂散电容的影响 电桥的平衡条件: Z1/Z3 = Z2/Z4 串联等值回路 tgδ=ωR4 C4 Cx = R4CN/R3 并联等值回路 tgδ=ωR4 C4 Cx = R4CN/[R3 (1+tg2δ)] Cx:因为tg2? 极小,故两种等值电路的Cx相等 屏蔽: 杂散电容:高压引线与低压臂之间有电场的影响,可看作其间有杂散电容Cs。由于低压臂的电位很低,Cx和CN的电容量很小,如CN一般只有50?100pF,杂散电容Cs的引入,会产生测量误差。若附近另有高压源,其间的杂散电容Cs1会引入干扰电流iS,也会造成测量误差 需要屏蔽,消除杂散电容的影响 2.存在外界电磁场干扰时的测量 现场试品:难以实现屏蔽,干扰较严重 两次测量法:第一次测得tg?1和Cx?,然后倒换试验变压器原边电源线的两头(试验电压U的相位转180?),测得第二次的数值tg?2和Cx?,可用下式计算得准确的tg?和Cx值: 磁场干扰时介损的测量 检流计正反接抗磁场干扰的原理:设无磁干扰时,两个测量臂的数值分别为R3和C4;设存在磁干扰时,两个测量臂的数值分别为(R3+?R3)和(C4+?C4);把检流计和电桥两臂相接的两端倒换一下,两个测量臂的数值将分别为 (R3-?R3)和(C4- ? C4) 当检流计正接时测得:  当检流计反接时测得:  因无磁场干扰时:  故可得: 测试功效 有效 受潮 穿透性导电通道 气泡电离、绝缘分层、脱壳 绝缘老化劣化 绝缘油脏污、劣化 无效 局部损坏 小部分绝缘的老化劣化 个别绝缘弱点 注意事项 分部测试 与温度的关系 与试验电压的关系 护环和屏蔽 实验三 工频高压试验 交流耐压:是交流设备的基本耐压方式。适用于≤220kV以下的电力设备。 以变压器为例,如图所示 1.工频高压的产生 工频高压试验

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