ch03逻辑门电路讲义.pptVIP

作业 3.1.7 3.1.12（b）（d） 3.1.13 3.5.1 3.5.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用 1、 基本逻辑门电路的等效符号 与非门及其等效符号 系统输入信号中，有的是高电平有效，有的是低电平有效。 低电平有效，输入端加小圆圈；高电平有效，输入端不加 小圆圈。 或非门及其等效符号 逻辑门等效符号的应用 利用逻辑门等效符号，可实现对逻辑电路进行变换， 以简化电路，能减少实现电路的门的种类。 end 控制电路 逻辑门等效符号强调低电平有效 L=0 如RE、AL都要求高电平有效，EN高电平有效 如RE、AL都要求低电平有效，EN高电平有效 如RE、AL都要求高电平有效，EN低电平有效 用与非门74HCT00实现 用或非门74HCT02实现 用与门74HCT08实现 最不利的情况： 只有一个 OD门导通， 1 1 0 为保证低电平输出OD门的输出电流不能超过允许的最大值 IOL(max)且VO=VOL(max） ，RP不能太小。 当VO=VOL +V DD IIL RP n … m … k IIL(total) IOL(max) 当VO=VOH +V DD RP n … m … 1 1 1 IIH（total) I0H（total) 为使得高电平不低于规定的VIH的最小值，则Rp的选择不能过大。Rp的最大值Rp(max) ： 2.三态(TSL)输出门电路 1 0 0 1 1 截止 导通 1 1 1 高阻 × 0 输出L 输入A 使能EN 0 0 1 1 0 0 截止 导通 0 1 0 截止 截止 X 1 逻辑功能：高电平有效的同相逻辑门 0 1 3.1.7 CMOS传输门(双向模拟开关) 1. CMOS传输门电路 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 C T P +5V – 5V T N C 2、CMOS传输门电路的工作原理 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2 ?I的变化范围为－5V到+5V。 ?5V +5V ?5V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (-5V到+5V)=(10到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= -5V ? (－5V到+5V)=(0到-10)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=-5V， c =1=+5V C T P +5V – 5V T N C C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V ?5V ?GSP= ?5V ? (－3V~+5V) =?2V ~ ?10V ?GSN=5V ? (－5V~+3V)=(10~2)V b、?I=?3V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=?5V~3V TN导通，TP导通 ?GSP |VT|, TP导通 C、?I=?3V~3V 2）当c=1， c =0时 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 传输门的应用 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗 (mW) 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 参数 系列 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 CMOS门电路各系列的性能比较 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=0V时: iB?0，iC?0，vO＝VCE≈0.2V，c、e极之间近似于短路, vI=5V时: iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3