半导体材料第二章.ppt

第二章 半导体材料制备理论基础 2.1 相 图 2.1.1 基本概念 1 系统 系统就是我们所选择的研究对象，除了系统以外的一切物质都叫环境。 举例：对于用提拉法生长单晶硅来说，如果是为了研究晶体与熔体之间的各种关系，则晶体和熔体两者就是系统，而加热器，循环冷却水，炉内的保护气氛等都算环境；如果为了研究晶体、体和气氛三者之间的相互关系，则晶体，熔体和气氛三者作为系统，其余的都算环境， 系统与环境是人为确定的，两者并不是固定不变的，这主要是由所选择的研究对象而定。 2 相 定义：物质的存在形式，包括物态（固、液、气）和晶格结构。 把具有相同物理性质和化学性质的一个子系统称为一个相。或者说系统中具有相同成分、结构和性能的均匀部分的总和称为相。 举例：生长硅单晶系统中，生长出的硅晶体称为固相，熔体则称为液相；石墨与金刚石；半导体性质的灰锡与金属特性的白锡。 描述相的变量：温度，压强和组分（热力学） 根据相的定义可知，相与相之间有界面，各相可以用机械方法加以分离，越过界面时性质发生突变。 相和物质的数量和多少无关，和物质是否连续无关。 例：硅锭，无论有多少块都属于一个相。 相的几个特征 1 一个相中可以包含几种物质，也就是几种物质可以形成一个相。例如固溶体，属于一个相，但是可以含有多种元素。 2 一种物质可以有几个相（硅可以是液相的，固相的或者气相的） 3 固体机械混合物中有几种物质就有几个相。（硅单晶和锗单晶混合在一起） 4 一个相可以连续成一个整体，也可以不连续 3 组元 系统中每个可以独立分离出来并能独立存在的化学均匀物质称为组元。 举例：氯化钠水溶液，NaCl和H2O都是组元，因为可以独立分离出来并能独立存在化学性质均匀。但是Na+、Cl-、H+、OH-却不能算作组元，因为他们都是不能作为独立的物质存在的。 4 独立组元 凡是在系统内可以独立变化而决定着各相成分的组元，就称为独立组元 。 在没有组分间关系限制条件的体系中，体系的独立组元数就等于它的组元数。氯化钠水溶液的组元数为2，独立组元数也是2 如果体系存在化学反应或是其他组分间关系的限制条件（例如浓度），那它的独立组元数就不等于组元数，而是组元数减去组分间关系的限制条件数。 举例：NaCl和KNO3的水溶液 NaCl+KNO3=NaNO3+KCl, 该体系的组元数有5个，但有两个限制条件，独立组元数为3。 系统的独立组元数只能等于或者小于组元数。 通常把具有n个独立组元的系统称为n元系统 5 自由度 自由度是指一个平衡体系的可变因素（如成分、温度、压力等）的数目。 这些因素在一定范围内可以任意改变，而不会使任何旧的相消失，也不使任何新相产生。一个系统有几个这样的独立变数，就有几个自由度。 6 平衡态 当一个系统的各个热力学参量在不受外界条件的影响下，不再随时间而变化，我们就称这个系统处在平衡状态下。 热力学中平衡体系应该满足力学平衡，热平衡，相平衡条件。 力学平衡要求压强相等；热平衡要求温度相等；相平衡要求平衡相的化学势相等。 7 相平衡 在一个多相体系中，如果他的各个相关相之间彼此互相转化的速率都相等，也就是各个物质在每一相中的化学势都相等，我们就说这个体系处于相平衡状态。 研究相平衡也就是研究平衡系统中相的数目，状态和性质与各个变数之间的关系。 相平衡是相对的，有条件的。在相平衡状态时，同一相内成分必须时均匀的，恒定的，温度也必须是恒定的，其他影响平衡的外界条件，诸如电场，磁场都必须是不变的。 8 相变 在一定条件下，两个相互接触的相之间宏观的物质变动。 举例：将固体硅锭浸润在熔体硅的表面并以适当速度上提，熔体硅会在固液界面逐渐转变成固体。这是从液相到固相的转变； 立方结构的碳化硅（3C-SiC）在适当的条件下变成六方结构的碳化硅（例如6H-SiC）。 9 相图 对于多相体系，各相间的相互转化，新相的形成，旧相的消失与温度，压力，组成有关。 根据实验数据给出的表示相变规律的各种几何图形称为相图。 可以直观看出多相体系中各种聚集状态和它们所处的条件（温度，压力，组成）。 相图是材料制备最重要的基础工具 液体和固体受压力的影响很小，因此半导体材料的固态、液态或两态并存的聚集状态可以不考虑压强的作用。 半导体材料制备过程中使用的相图一般只考虑温度和组分这两个变量。 组分变量通常用原子百分比来表示。对于一个二元系，组分坐标轴（横轴）的两个端点分别代表两个纯组元。相图上，纵坐标通常表示温度。 2.1.2 相图的测定方法 为了描述一个体系的平衡状态必须首先知道体系中每一个相的平衡状态。 按照热力学的要求，对一个相，通常要用温度、压强和组分三个强度变量来描述。 对于一个复相体系，要定量描述这三个变量之