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第八篇 化学与生物传感器 8．1 化学传感器 8．1．18．1．2 8．1．2．18．1．2．28．1．3 8．1．3．18．1．3．28．1．3．38．28．2．1 8．2．1．18．2．1．28．2．28．2．2．18．2．2．28．2．38．2．3．18．2．3．28．2．48．2．5 作为信息变换手段之一的化学传感器，是应化学反应产生的电化学现象及根据化学反应中产生的各种信息（如光效应、热效应、场效应和质量变化）来设计的各种精密而灵敏的探测装置。此类传感器用于检测及测量特定的某种或多种化学物质，因此化学传感器必须具有对待测化学物质的形状或分子结构选择性俘获的功能（接受器功能）和将俘获的化学量有效转换为电信号的功能（转换器功能）。8．1．1伏安法(电流法)在电电设置氧化(或还原)电位来测量电的电流电导法用一交流电桥方法来测量电的电导。将一金条(例如银)置于一含离子的溶液(如银离子)中，沿着金属和溶液的界面会产生电荷分布(图)，这就产生了人们所说的电子压力，通常称为电位此电位不能直接量取得，需要两个这样的电极与电解质的组合其中一个称作半电池这样一个组合称作电化学电池()。两组半电池内部通过一电导桥或将电路相连然后，在两电极外端连接一测电位的装置电路可用来测定电的电动势(emf)其值为两个半电池电极的电位差。电动势数值大小取决于几个因素：①电材料；②各个半电池内的溶液性质及浓度；③通过膜(或盐桥)的液体接界电位。图将一金属电极浸在电解液中为一半电池两个半电池电极成一完整的电池 氢极与其电池相连接在标准状态氢气分为101325Pa，温度为298K(25℃)定义氢的标准电极电位为零基本能斯持方程是从基础热力学方程导出的对数关系式 式（8-1） 式中 E-测量电极电位，V； E0-参考电极电位，V； [Ox]-溶液中氧化性物质浓度（活度），mol/L； [R]- 溶液中还原性物质浓度（活度），mol/L，金属电极[R]=1。 8．1．2 8．1．2．1 式（8-2） 式中的C、S，对一定的器件、一定的溶液而言，在固定参考电极电位时是常数，因此ISFET的阈值电压与被测溶液中的离子活度的对数成线性关系。根据场效应晶体管的工作原理，漏源电流的大小又与VT的值有关。因此，ISFET的漏源电流将随溶液中离子活度的变化而变化。在一定条件下，IDS与ai的对数呈线性关系，于是就可以从中确定离子的活度。 关于ISFET的敏感膜对溶液中离子活度的响应机理，许多学者曾提出过各种理论解释，目前尚在发展之中。下面我们以无机绝缘栅的ISFET为例，简述其工作机理。 无机绝缘栅ISFET是将普通MOSFET的金属栅去掉，使无机绝缘栅SiO2兼作敏感膜直接与溶液接触，这种栅对溶液中的H＋离子将产生响应。若在SiO2上再淀积一层无机物S3N4或Al2O3，则除了对H＋响应外，对N＋也有响应。 根据电化学观点，敏感膜与溶液界面可分如下两种情况： （1）非极性界面 这种界面至少可让一种带电粒子通过，界面产生电势的大小取决于电子或离子的交换作用。可以认为，在H＋－ISFET的表面存在着Si－OH、Al－OH等羟基（中性基因），当H＋－ISFET浸渍于电解质溶液时，在其界面处将会产生水化胶层，并存在如下平衡： 表面离解的MO－基团和电解质溶液中一侧的水合阳离子之间形成双电层。MO一基团的电荷密度随溶液中H＋离子浓度而变化，H＋浓度越大，则界面电势变化也越大。其电荷分布的大致情况如图8-7所示，它说明了溶液中H＋离子浓度将对界面电势产生影响，从而改变阈电压VT的值。 （2）极性界面 这种界面不允许带电粒子通过或传递极缓慢，此时界面电势的情况取决于带电粒子的表面吸附或偶极子的定向排列作用。当ISFET插入溶液时，表面由于吸附离子而使电荷增加，从而加大了电势差。其电荷分布大致情况如图8-8所示，图中虚线代表由于吸附而增加的电荷密度。 图8－7 ISFET 非极性界面电荷分布示意图 图8－8 ISFET极性界面电荷分布示意图 8．1．2．28．1．3 8．1．3．18．1．3．2μm以下），添加不同杂质，采用传统制陶方法烧结。烧结时埋入加热线和测量电极，制成管芯，最后将加热丝和测量电极焊在管座上，加特制外壳构成器件。烧结型器件的结构示于图8-11（a）。 烧结型器件的一致性较差，机械强度也不高，但它价格便宜，工作寿命长，因此目前仍得到广泛应用。 二、薄膜型气敏器件 薄膜型气敏器件的结构如图8-11（b）所示，采用蒸发或溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导体薄膜。实测表明SnO2和 ZnO薄