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DLC(Diamond like carbon)薄膜材料简介 DLC薄膜材料的沉积方法 DLC薄膜材料的产业化应用 CVD化学气相沉积 CVD中反应气体激发示意图 Schematic diagram of hydrogen and hydrocarbon ionized by heat or electrical energy in a CVD diamond deposition reactor CVD金刚石沉积过程示意图 Schematic of the physical and chemical processes occurring during CVD diamond 化学气相沉积过程包括反应气体的激发和活性物质的沉积两个步骤 CVD法DLC薄膜的形成原理 常用CVD法制备金刚石薄膜的装置示意图（a）热丝法（b）NIRIM微波法（c）ASTEX微波法（d）直流等离子体炬法 Some examples of the more common types of low pressure CVD reactor (a) Hot filament, (b) “Nirim2type” micrwave reactor (c) “Astex2type” microwave plasma reactor, and （d） DC arc jet （plasma torch） 微波源的输出功率连续可调,最大功率为1500W;与微波频率2.45GHz 相对应,电磁线圈在谐振腔放电中心产生场强为875 ×10- 4 T 的电子回旋共振磁场;衬底到谐振腔的距离从10cm 到50cm可调;衬底上可以根据工艺需求加偏压;抽真空系统为涡轮分子泵加机械泵,极限真空高于10- 5 Pa ;有两路进气系统,一路从微波输入端进入,一路从真空室的侧壁进入,通过控制进气流量及抽气量获得所需要的工作压力。 图1 　ECR 微波等离子体设备示意图 偏压辅助微波电子回旋共振（ECR）等离子体技术 工作气体为丙酮,丙酮液体被放在密闭容器中,利用气路将丙酮的饱和蒸气通入真空室. 工艺条件为输入微波功400W,工作压力为0.5Pa ,8Pa ,20Pa ,相应的衬底与谐振腔的距离为50cm ,20cm ,10cm. 可以调整的工艺参数主要为微波功率、工作压力及衬底位置. 工作压力一定时,微波功率越高,产生等离子体的面积越大,等离子体中离子的能量及密度越高. 微波功率一定,工作压力改变时,工作压力越高,产生的等离子体的区域越小,等离子体中离子的密度越高,离子能量则略有下降. 工作压力改变对等离子体面积、离子密度的影响远远高于微波功率改变的影响. 当工作压力较低、微波功率较高时,等离子体充满整个空间,这时衬底一般放在距离谐振腔最远的地方,使得微波反射功率最小;而当等离子体为部分充满空间时,一般选择使衬底与等离子体刚刚充分接触的位置;衬底位置的选择,一般总是在保证与等离子体充分接触的基础上,尽量让反射微波功率最小. 研究发现,在微波功率为400W 时,获得薄膜沉积的压力范围大致为5 —15Pa ,高于15Pa 或低于5Pa 都无法沉积到薄膜;改变微波功率时,获得薄膜的压力范围相应改变. 图2 　薄膜在1μm 尺度内的原子力显微镜像及表面粗糙度分析 表1 　薄膜的中红外吸收峰及其对应的薄膜结构 波数/cm- 1 碳的杂化方式 结构 608 762 1005 1235 sp3/sp2 C —C 1382 sp3 CH3 1578 sp2 C —C 1690 C =O/Ar COOH 1757 含氧多元环/—COOH 2176 sp1 C —C 2960 sp3 CH3 3258 3453 ECR-RF双等离子体沉积氧化硅薄膜过程中的RF偏压效应 Effects of radio-frequency bias on silicon oxide films deposited by dual ECR-rf hybrid plasma 以六甲基乙硅氧烷(C6H18OSi2)（HMDSO）和氧气（O2）为反应气体，在射频偏压辅助的ECR微波等离子体装置上进行了氧化硅薄膜的沉积研究，比较了13.56