模电第3章场效应答案.docVIP

已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。试判别其类型，并说明各管子在∣UDS∣= 10V时的饱和漏电流IDSS、夹断电压UGSOff（或开启电压UGSth）各为多少。 uGS uGS/V iD/mA 1 2 3 1 2 UDS=10V (a) uGS/V iD/mA 1 2 3 1 2 UDS=10V (b) 3 4 uDS/V iD/mA 2 4 6 8 5 10 15 20 4.5V 4V 3.5V 3V 2.5V UGS=2V (c) 题图3.1 解：图 (a)：N沟耗尽型MOSFET，=2mA,V。 图 (b)：P沟结型FET，=3mA, V。 图 (c)：N沟增强型MOSFET，无意义 ，V。 已知各FET各极电压如题图3.3所示，并设各管的V。试分别判别其工作状态（可变电阻区，恒流区，截止区或不能正常工作）。 (a)(b) (a) (b) (c) (d) D 3V D 5V D -5V D 9V 5V G S 2V S 0V S 0V S 0V G -3V 解：图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为VV，VV，所以工作在恒流区。 图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET，VV，VV，所以工作在可变电阻区。 图 (c)中，P沟增强型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流区。 图（d）中，为N沟JFET，VV，所以工作在截止区。 3.4电路如题图3.4所示。设FET参数为：mA，V。当分别取下列两个数值时，判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区，并求恒流区中的电流。 （1）。（2）。 UDD UDD(+15V) RD + ui V RG C1 C2 + uo ID 题图3.4 3.5在题图3.5（a）和（b）所示电路中。 TR T RD 1k RG 1M RS 4k USS(-10V) (a) UDD(+10V) T C2 RD 30k R2 1M C1 RS 6k + Ui + Uo R1 1.5M (b) UDD(+12V) （1）已知JFET的mV，V。试求、和的值。 （2）已知MOSFET的。试求、和的值。 解(1) 解得： (2) 解得： 3.10放大电路如题图所示。已知V，mA，gm=1.2ms，V。1) 求该电路的静态漏极电流和栅源电压。 2）为保证工作在恒流区，试问电源电压UDD应取何值？ 3）画出低频微变等效电路 。 4）试着求器件的rds值，电路电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 +U + Ui T C1 C2 RD 6k RL 6k RS 1k RG 1M UDD CS + Uo 题图3.10 gmUgs rds + Ui + Ugs RG + RD RL Uo (b) (a) 解：（1）T为N沟JFET，所以V，故可列出 联立解上述方程，可得 （2）为保证JFET工作在恒流区，则应满足 因为 所以 （V） （4） 3.11放大电路如题图3.11所示，已知FET的参数：。电容对信号可视为短路。 画出该电路的交流通路 当时，计算输出电压。 +u + us + uo + ui C1 C2 UDD R1 4M R2 10M RL 10k RD 20k RS (a) 题图3.11 解:(1)其交流通路如题图3.12所示 T+ T + Us RS R1 R2 RD RL + Uo + Ui 题图3.11 (b) (2) 3.12题图3.12电路中JFET共源放大电路的元器件参数如下：在工作点上的管子跨gm=1mS，rds=200kΩ，R1=300 kΩ，R2=100kΩ，R3=1MΩ，R4=10kΩ，R5=2kΩ，R6=2kΩ，试估算放大电路的电压增益、输入电阻、输出电阻。 3.13两级MOSFET阻容耦合放大电路如题图3.13所示。已知V1和V2的跨导gm=0.7mS，并设，电容C1~ C4对交流信号可视作短路。 (1)试画出电路的低频小信号等效电路。 (2)计算电路的电压放大倍数Au和输入电阻Ri。 (3)如将RG1的接地端改接到R1和R2的连接点，试问输入电阻Ri为多少? +UiC1RG11M V1 + Ui C1 RG1 1M V1 V2 C2 C3 C4 R1 2k R2 5.1k RG2 1M R4 1k R3 33k R5 10k UDD +