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电子技术基础 电子技术 主讲教师：路正莲 第14章 半导体器件 14.1.1 本征半导体（完全纯净的、具有晶体结构的半导体。） 硅或锗提纯形成单晶体后的原子结构图： 14.2 PN结及其单向导电性 2、PN结的单向导电性 （1）外加正向电压 （2）外加反向电压 2.　伏安特性 二极管的等效电路 二极管导通时等效电路 3.主要参数 （1）最大整流电流IOM 4.半导体器件的命名方法 如2CP14 例1. 下图为二极管整流电路，画出uo的波形。设二极管是理想的。 例3. 二极管限幅电路 14.4 稳压二极管 3、主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数αU 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 稳定电流IZ、最大稳定电流 IZM (4)最大允许耗散功率  管子不致发生热击穿的最大功率损耗PZM = UZ IZM 。 (5) 动态电阻rZ 端电压变化量与相应的电流变化量之比，即 （4）反向峰值电流IRM 二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。反向电流大，说明二极管的单向导电性能差。反向电流受温度的影响大，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管