第三十章超导块状材料与其应用.doc

高溫超導材料與其磁浮上之應用 文/陳引幹  一、前言 高溫超導體在西元1987年由朱經武及吳茂昆博士所領導的研究群[1]發現之前，傳統的低溫超導體已有若干重要的應用，大致可分為線材或薄膜兩大類。超導線材以應用超導零電阻於產生超高磁場為主，例如：核磁共振掃描儀(Magnetic Resonance Image, MRI)及核磁共振器(Nuclear Magnetic Resonance, NMR)所用的超強磁場，即使用具有永久電流裝置的低溫超導線材所製成之超導線圈。超導薄膜則以應用約瑟芬穿隧效應於各類電子或磁性感測元件為主，例如：超導量子干涉磁量儀(Superconducting Quantum Interference Device SQUID)。而高溫超導塊材其製程與傳統的線材或薄膜不相同，超導特性與傳統之線材或薄膜亦有相當之差異，最為一般大眾所知的就是超導塊材與磁鐵之間的磁(懸)浮現象。亦即，磁鐵不僅可以被浮於超導體之上，亦可以完全沒有接觸地，被懸掛在超導體之下，猶如懸浮在半空中，即第二類超導體所具有獨特的“反磁效應(Diamagnetism)”與釘紮效應的表現。 磁場與超導體間相互作用的差異可分為第一類超導體(Type-I Superconductor)與第二類超導體(Type-II Superconductor)。 Meissner effect在此兩類超導體中各自呈現出不完全相同的效應。對於第一類超導體，在外加磁場情況下冷卻至Tc以下的溫度(場冷)或直接冷卻至Tc以下溫度再外加磁場（零場冷），其內部磁通皆為零。事實上，磁場並非完全排除於超導體之外、在超導狀態下磁場亦可穿透超導體表層(London model)，直到外加磁場大於Bc、磁場便可完全穿透。 但對於第二類超導體而言，可以在不失內電阻為零的狀態下，有磁場穿透的現象。第二類超導體有下臨界磁場(BC1)與上臨界磁場值(BC2)，當外加磁場大於BC1時、有磁場穿透而磁力線被擄獲於超導體中，直到外加磁場大於BC2時，第二類超導體的超導現象才完全消失。2003年的諾貝爾物理獎頒給了兩位俄國科學家Alexei A. Abrikosov與Vitaly L. Ginzburg，便是表彰其建構第二類超導體相關理論的貢獻。A. Abikosov以波函數描述超導體的行為，解釋外加磁場與超導體內渦流 (vortex) 作用並發展出Abrikosov磁通線格子的概念。Ginzburg與Landau提出超導電子非局部化的觀念，他們的Ginzburg-Landau theory理論提供了Abrikosov理論一個重要的基礎。圖一　高溫超導體“反磁效應(Diamagnetism)”與釘紮效應所表現之穩定磁浮現象 再配合高溫超導塊材製程的改善，以頂晶熔融製程發（Top Seed Melt Texture, TSMT）所製得之優異性質單晶粒釔鋇銅氧（Y–Ba–Cu–O）塊材[2,3]（圖二），使得磁（懸）浮力（Magnetic Levitation/suspension force），磁力線擄獲（Flux Trapping）、磁力線屏蔽（Flux Shielding）等超導性質大大提升，使其越來越接近實用化的階段。 圖二 為國內自製成功和美、日等國同一水準的大顆粒單晶粒Y–Ba–Cu–O高溫超導體塊材(由左至右尺寸分別為直徑2.5cm、3cm及4cm)。 利用磁場引致超導體的麥納斯效應（Meissner Effect），是超導磁浮現象的基本機構，高溫超導體屬於第二類非理想超導體，即磁力線與超導電流可以互相垂直而且共存於超導體內，形成所謂的混合態( Mixed state)。當磁力線在進出非理想第二類超導體時，會遭遇到某些阻力障礙，而有磁滯現象。所產生的磁滯現象原因如下：磁力線進入超導體時，當磁力線位於缺陷時，由於缺陷由超導態轉變為正常態的能差小於非缺陷轉變的能量，而造成磁力線位於缺陷時，不易再移動，而形成類似被釘住的狀況，一般便稱這些可以使磁力線不易再移動的缺陷稱為釘札中心(Pinning centers)。釘扎中心是由尺寸大小與相干長度ξ(coherence length)相近的晶格缺陷造成的，這些缺陷可能是差排(Dislocation)、雙晶面(Twin)、堆疊錯誤(Stacking fault)、微小析出相(Precipitates)及化學成份組成差異(compositional fluctuation)等。由於釘札效應我們可知，場冷後超導體內仍殘留擄獲的磁通(Flux Trapping)在裏面，此一行為類似一鐵磁性物質經外加磁場磁化後，內部磁域排列方向趨於一致而有一淨磁矩產生，因此基本上場冷後之超導體也可視為一準磁鐵(Quasi Permanent Magnet)，