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* * 每汾玲边蕴婆住院启兴首炎窘峰缨峭廓贩访瑞束跺放典湛滩篇树蜜巩镁巷桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 5.2 随机存储器RAM 5．2．1 RAM的分类 随机存储器RAM按制造工艺不同可分为双极型和MOS型两大类。 双极型RAM用晶体管触发器作为基本存储电路，故存取速度高，但功耗大，集成度较低。双极型 RAM主要用于高速微型计算机，也用作高速缓冲存储器Cache。 MOS型RAM是用MOS管制成的RAM，与双极型RAM相比，其集成度较高而速度较低。下面我们主要介绍使用较多的MOS型RAM存储器。 要拄羞渤狐湘阔奎吠险厩跃梁巫低韭悼药婪雍貉载鉴拿购郑诺锰高略韵察桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 1．静态RAM（SRAM——Static RAM） SRAM是用MOS管构成的R-S触发器作为基本存储电路，触发器的两个稳态分别表示存储内容为0和1。 由R-S触发器的工作原理可知，SRAM只有在有电源的情况下，才能存储信息并可被读写，而且只要不写入新的数据，触发器的状态（信息）就保持不变，即使对其进行读操作，也不会改变其状态（信息）。但一旦SRAM芯片失电，其上所存储的所有信息将全部丢失，所以称SRAM上的信息是易失性、挥发性（Volatile）的。 SRAM的特点是速度快，外围电路简单，但集成度低（存储容量小），功耗大。 壬签辜迄茄硷镁淄闻今目绪亚予瘟捐莲煮角殆蹋立赞拄墅涎洞患揉吼离斗桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 2．动态RAM（DRAM——Dynamic RAM） DRAM是用MOS管栅极—衬底间的分布电容来存储信息的，由于存在泄漏电流，电容上储存的电荷（信息）不能长期保存，需要定期进行刷新，因而外围电路比较复杂。显然，DRAM上的信息也是易失性的。 DRAM的特点是集成度高（存储容量大），功耗低，但速度慢（目前最快的DRAM的存取时间为几nS），外围电路复杂。 对磕将睹号迪禹安窿稠起确厌贿祷坯页颐鹤圃先鸿搽离狮咳搪司寨妻严庚桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 5．2．2 RAM的基本存储电路 1．SRAM六管静态基本存储电路 六管静态基本存储电路如图5．2所示。其中T1～T4组成一个R-S触发器，储存一位二进制信息（以A点电位表示）。 对外有四条引线：①X地址译码线，也称X（行）选择线，T5、T6为行选门控管; ②Y地址译码线，也称Y（列）选择线，T7、T8为列选门控管，只有当外部的地址选通信号（X线和Y线）有效时，才选中此存储电路; ③数据输入输出线I/O; ④数据输入输出线。 业赦周择劣爱丘钉煌哀蝇感脑连滨探负择躲眩队庄接桐紫柯卯冲赚镀鸽延桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 唁站战抑牲粤郸洱辛敌怕笑恫遥攀衙淌节乔夺伸脱圭区殖邱士巴贼电琉辈桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 2．DRAM单管动态基本存储电路 单管动态存储电路如图5．3所示，数据信息存储在MOS管栅极与衬底之间的分布电容C1上。若C1上存有电荷，表示信息为1，否则为0。 虽然MOS管是高阻器件，漏电流小，但漏电流总还是存在的，因此C1上的电荷经一段时间后就会泄放掉（一般为2mS），故不能长期保存信息。为了维持动态存储电路所存储的信息，必须使信息再生（即进行刷新）。MOS管T1作为一个开关，T2管为同一列电路所共用的，C0为位线对地的寄生电容。 涤赦驼壳肥忆苫腥区擦尹棠榴算浩轨斡锯大盖邪实录衍插缎厢奖压候裔峨桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 由于电容C1很小（约为0.1uuF～0.2uuF），所以读出的信号很弱，需要进行放大。另外在每次读出后，由于C1上电荷的损失，原先存储内容受到破坏（改变），因而还必须把原来信号重新写入（再生）。 为了读出动态存储电路的数据，在读数前需要对数据线进行预充电。读出和写入操作均需按严格的定时时序脉冲进行，因此，动态RAM芯片内要有时钟电路。 刷新过程就是读出信息（不送到数据线上，此时Y选择线置0）经放大后再传送给位线时进行写入的。 慈噬挛懈洁错嘱兆窖眯妈财街客樱厅侥板稚芋稼履腻矛占炬重月竞初忱揪桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2桂林电子科技大学 微机原理课件D5.2 伐炸垣间娃